[发明专利]封装载板及其制造方法在审
| 申请号: | 201611210788.4 | 申请日: | 2016-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN108242400A | 公开(公告)日: | 2018-07-03 |
| 发明(设计)人: | 黄昱程 | 申请(专利权)人: | 碁鼎科技秦皇岛有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/13;H01L23/492;H01L23/498 |
| 代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 康春 |
| 地址: | 066004 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 线路层 盲孔 第一表面 导电垫 上表面 第二表面 封装载板 底面 基层 电性连接 下表面 抵接 顶面 内凹 制造 | ||
1.一种封装载板,包括基层以及分别设置于基层两侧的第一线路层、第二线路层,所述基层包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面,所述基层自所述第二表面朝向所述第一表面方向内凹形成一盲孔,所述盲孔包括一顶部及与所述顶部相对的底部,所述第一线路层包括一底面及与所述底面相对的顶面,其特征在于:所述第一线路层的顶面上设置有一导电垫,所述导电垫包括一上表面及与所述上表面相对的下表面,所述导电垫的上表面抵接所述盲孔底部,所述第二线路层电性连接所述盲孔。
2.如权利要求1所述封装载板,其特征在于:所述盲孔的纵截面呈梯形,其孔径自所述第二表面朝向第一表面方向逐渐减小,所述导电垫的顶面面积大于所述盲孔的底面面积。
3.如权利要求1所述封装载板,其特征在于:所述第一线路层内埋于所述基层中,且所述第一线路层底面与所述基层的第一表面平齐。
4.如权利要求1所述封装载板,其特征在于:所述第一线路层包括一第一连接部,所述导电垫设置于所述第一连接部上,所述导电垫的横向宽度小于所述第一连接部的横向宽度,且所述导电垫设置于所述第一连接部上,所述第二线路层包括一与所述第一连接部正对的第二连接部,所述第二连接部延伸至所述盲孔内与所述导电垫连接。
5.如权利要求1所述封装载板,其特征在于:进一步包括分别设置于所述第一线路层、第二线路层上的防焊层、镍金层,并通过在所述镍金层上设置焊球与一芯片进行电连接。
6.一种如权利要求1所述封装载板的制造方法,包括如下步骤:
提供一支撑板,所述支撑板包括一底板、依次叠置于所述底板上的金属层、粘合层以及第一导电结合层;
在所述支撑板的第一导电结合层上贴设一第一光阻层;
通过曝光显影技术去除部分第一光阻层并设置第一线路层于所述支撑板上;
在所述第一线路层上贴设第二光阻层,所述第二光阻层包覆所述第一线路层及所述第一光阻层;
去除部分所述第二光阻层并镀设导电垫于所述第一线路层上;
清除剩余的所述第一光阻层和所述第二光阻层;
在所述第一线路层上设置一具有第二导电结合层的基层,所述基层包覆所述第一线路层和所述导电垫;
在所述基层上开设形成一盲孔,所述盲孔自所述基层的第二表面朝向第一表面方向内凹至所述导电垫,进一步镀设所述第二导电结合层贴设所述盲孔内壁延伸连接至所述导电垫;
在所述第二导电结合层上贴设一第三光阻层;
通过曝光显影技术去除部分第三光阻层,并镀设一第二线路层于所述第二导电结合层上;
清除剩余的所述第三光阻层,从而暴露出所述第二线路层以及部分所述第二导电结合层;
将所述支撑板从所述粘合层处切断,从而使得所述底板以及金属层一同从所述第一导电结合层处分离;
去除位于二相邻的所述第二线路层之间的第二导电结合层,从而使得所述第二导电结合层一一对应地设置于所述第二线路层底部,同时去除所述支撑板残留的第一导电结合层。
7.如权利要求6所述封装载板的制造方法,其特征在于:所述盲孔的纵截面呈梯形,其孔径自所述第二表面朝向第一表面方向逐渐减小,所述导电垫的上表面面积大于所述盲孔的底部的面积。
8.如权利要求6所述封装载板的制造方法,其特征在于:所述第一线路层的底面与所述基层的第一表面平齐。
9.如权利要求6所述封装载板的制造方法,其特征在于:还包括在所述第一线路层、第二线路层上分别设置防焊层和镍金层。
10.如权利要求9所述封装载板的制造方法,其特征在于:还包括将所述封装载板进行翻转封装,并在所述封装载板上形成焊球与芯片连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





