[发明专利]一种超薄陶瓷指纹识别片的加工工艺

权利要求书

1.一种超薄陶瓷指纹识别片的加工工艺，所述超薄陶瓷指纹识别片的厚度为0.08~0.2mm，其特征在于，所述加工工艺包括如下步骤：

1）、线切割：按照厚度要求用多线金刚石线锯对陶瓷晶棒进行切割，形成陶瓷片；

2）、粗磨：将切割获得的陶瓷片放置在双面粗磨机的游星轮定位型腔内对陶瓷片的上下表面同时进行粗磨，使用颗粒度为20~60μm的研磨液，控制压力在60~150g/cm²之间变化，上磨盘转速在5~20rpm之间变化，下磨盘转速在15~30rpm之间变化，游星轮的公转速度为3~7rpm，粗磨时间5~30min；

3）、粗抛光：将经过步骤2）粗磨后的陶瓷片放置在抛光机的游星轮定位型腔内对陶瓷片表面进行单面粗抛光，控制抛光机的上粗抛光盘与下粗抛光盘反向转动，使用颗粒度为2~5μm的钻石研磨液，控制压力在100~200g/cm²之间变化，下粗抛光盘转速在5~35rpm之间变化，上粗抛光盘与下粗抛光盘的速比为0.4~0.8，太阳轮与下粗抛光盘的速比为0.15~0.20，对陶瓷片的单面粗抛光15~30min至表面粗糙度5≤Ra≤10nm；

4）、精抛光：将经过步骤3）粗抛光后的陶瓷片放置在双面抛光机的游星轮定位型腔内对陶瓷片的上下表面同时进行精抛光，控制抛光机的上精抛光盘与下精抛光盘反向转动，使用颗粒度为60~80nm的二氧化硅研磨液，控制压力在200~300g/cm²之间变化，下精抛光盘转速在5~35rpm之间变化，上精抛光盘与下精抛光盘的速比为0.4~0.8，太阳轮与下精抛光盘的速比为0.15~0.20，对陶瓷片的双面精抛光180~300min至表面粗糙度0.3≤Ra≤0.7nm，形成陶瓷片成品；

5）、激光切割：用激光将抛光好的所述陶瓷片成品切割成所需尺寸的陶瓷指纹识别片。

2.根据权利要求1所述的加工工艺，其特征在于，所述步骤1）中将陶瓷晶棒固定于旋转装夹装置上，利用多线金刚石线锯进行切割，所述多线金刚石线锯的直径为0.2~0.25mm，线锯运行速度10~13m/s，线锯切割速度0.1~0.3mm/min，线锯摇摆角度4~8°。

3.根据权利要求1所述的加工工艺，其特征在于，所述步骤2）中研磨液为25~35μm的碳化硼或颗粒度25~55um的碳化硅。

4.根据权利要求1所述的加工工艺，其特征在于，所述步骤2）中双面粗磨机的上磨盘和下磨盘为铸铁盘，所述上磨盘和下磨盘的研磨面上均设置有宽度为1~2mm、深度为6~10mm的井字型研磨液槽。

5.根据权利要求1所述的加工工艺，其特征在于，所述步骤3）中抛光机的上粗抛光盘和下粗抛光盘均为树脂铜盘，所述上粗抛光盘和下粗抛光盘的抛光面上均设置有螺旋状或同心圆状的研磨液槽。

6.根据权利要求1所述的加工工艺，其特征在于，所述步骤4）中双面抛光机的上精抛光盘和下精抛光盘的抛光面上均设置有磨皮，所述磨皮上开设有宽度为1~2mm、深度为1~3mm的井字型研磨液槽。

7.根据权利要求1所述的加工工艺，其特征在于，所述步骤2）和步骤3）之间还包括用砂轮棒或者砂轮对粗磨后的陶瓷片边缘进行倒角，倒角量即陶瓷片径向去除量的宽度为0.3~0.5mm。