[发明专利]图形测试结构及其制作方法、测量图形尺寸的方法

权利要求书

1.一种图形测试结构，其特征在于，包括：

形成于半导体衬底上的待测量图形；

形成于半导体衬底上的辅助测量图形，所述辅助测量图形至少位于所述待测量图形相对的两侧，且所述辅助测量图形与待测量图形的最大设计距离小于100微米，通过在待测量图形两侧设置辅助测量图形，测量辅助测量图形的特定位置到所述待测量图形对应边缘的实际距离之和，并将所述实际距离之和与设计值进行比较，来判断所述待测量图形的尺寸是否符合设计要求。

2.如权利要求1所述的图形测试结构，其特征在于，所述半导体衬底为闪存芯片。

3.如权利要求2所述的图形测试结构，其特征在于，所述待测量图形为核心存储区图形。

4.如权利要求1所述的图形测试结构，其特征在于，所述辅助测量图形设置在所述待测量图形的外侧，或者，所述辅助测量图形设置在所述待测量图形的内侧，或者，一部分所述辅助测量图形设置在待测量图形内侧，另一部分所述辅助测量图形设置在待测量图形外侧。

5.如权利要求1所述的图形测试结构，其特征在于，所述辅助测量图形的数量为两个，分别设置于所述待测量图形相对的两侧。

6.如权利要求1～5任一项所述的图形测试结构，其特征在于，所述辅助测量图形为凹槽或凸起。

7.一种测量图形尺寸的方法，其特征在于，包括：

提供如权利要求1至6中任一项所述的图形测试结构；

至少测量位于所述待测量图形相对的两侧的两个辅助测量图形的特定位置到所述待测量图形对应边缘的实际距离之和，若此实际距离之和与设计值在允许的误差范围内，则判断所述待测量图形的尺寸符合设计要求。

8.如权利要求7所述的测量图形尺寸的方法，其特征在于，所述特定位置为所述辅助测量图形靠近所述待测量图形的侧边。

9.如权利要求7所述的测量图形尺寸的方法，其特征在于，所述特定位置为所述辅助测量图形远离所述待测量图形的侧边。

10.如权利要求7所述的测量图形尺寸的方法，其特征在于，所述特定位置为所述辅助测量图形靠近所述待测量图形的侧边与所述辅助测量图形远离所述待测量图形的侧边的中间线。

11.一种图形测试结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一半导体衬底；

采用光刻与刻蚀工艺，在所述半导体衬底上形成辅助测量图形与待测量图形，所述辅助测量图形至少位于所述待测量图形相对的两侧，且所述辅助测量图形与待测量图形的最大设计距离小于100微米，通过在待测量图形两侧设置辅助测量图形，测量辅助测量图形的特定位置到所述待测量图形对应边缘的实际距离之和，并将所述实际距离之和与设计值进行比较，来判断所述待测量图形的尺寸是否符合设计要求。

12.如权利要求11所述的图形测试结构的制作方法，其特征在于，先形成所述辅助测量图形，后形成所述待测量图形。

13.如权利要求11所述的图形测试结构的制作方法，其特征在于，所述辅助测量图形与所述待测量图形同时形成。