[发明专利]一种联吡啶-钴修饰的WO3纳米片光电极的制备方法

权利要求书

1.一种联吡啶-钴修饰的WO₃纳米片光电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1合成WO₃纳米片光电极：

S1.1将W网依次置于氢氧化钠溶液、丙酮溶液中超声；

S1.2在反应釜中加入浓硝酸和浓盐酸，然后放入经过步骤S1.1处理的W网进行反应；

S1.3将步骤S1.2制得的产物依次用蒸馏水、无水乙醇冲洗，并用超声清洗仪超声，可制得WO₃·H₂O，然后烘干、煅烧，即可得WO₃纳米片光电极；

S2合成联吡啶-钴修饰的WO₃纳米片光电极：

S2.1将4,4-联吡啶溶于去离子水，制得溶液A；将六水合硝酸钴溶于去离子水，制得溶液B；

S2.2向另一反应釜中加入去离子水，依次加入溶液A和溶液B，搅拌，放入步骤S1制得的WO₃纳米片光电极进行反应；

S2.3反应结束后用去离子水清洗该电极，置于干燥箱中烘干即可获得联吡啶-钴修饰的WO₃纳米片光电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1.1中，采用1.5cm×4cm的W网，超声时间为30min。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1.2中，浓硝酸为5mL，浓盐酸为15mL，加入到40mL反应釜中，反应条件为80℃下反应3h。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1.3中，用超声清洗仪超声时间为1min；烘干温度为60℃，煅烧条件为500℃煅烧2h。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2.1的具体方法为：取39.0mg 4,4-联吡啶溶于10mL去离子水制得溶液A；将72.5mg的六水合硝酸钴溶于5mL去离子水，制得溶液B。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2.2的具体方法为：向50mL反应釜中加入30mL去离子水，依次加入0.4mL溶液A和0.3mL溶液B，搅拌5min，放入WO₃纳米片光电极，80℃反应6h。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2.3的具体方法为：反应结束后用去离子水清洗步骤S2.2最后得到的电极，置于干燥箱中60℃下烘干获得联吡啶-钴修饰的WO₃纳米片光电极。

8.利用权利要求1-7任一所述的联吡啶-钴修饰的WO₃纳米片光电极的制备方法制备得到的联吡啶-钴修饰的WO₃纳米片光电极在光电催化方面的应用。

9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述联吡啶-钴修饰的WO₃纳米片光电极在光电催化分解水过程中作为光电阳极。