[发明专利]半导体器件及非易失性存储器阵列

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

依次相邻的第一有源区、第二有源区和第三有源区，彼此分离并且彼此平行布置；

第一多晶硅区，布置在所述第一有源区和所述第二有源区上方；

第二多晶硅区，布置在所述第一有源区和所述第二有源区上方；

第三多晶硅区，布置在所述第二有源区和所述第三有源区上方并且与所述第一多晶硅区和所述第二多晶硅区在不同对有源区上方延伸；

用作源极区的掺杂区，位于所述第二有源区内并且介于所述第一多晶硅区和所述第二多晶硅区之间并且由所述第一多晶硅区和所述第二多晶硅区共用；以及

用作漏极区的掺杂区，位于所述第二有源区内并且介于所述第二多晶硅区和所述第三多晶硅区之间并且由所述第二多晶硅区和所述第三多晶硅区共用。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括多个有源区和多个多晶硅区，其中，用作源极区的掺杂区位于每一个多晶硅区和与所述每一个多晶硅区相邻的多晶硅区之间，所述每一个多晶硅区和与所述每一个多晶硅区相邻的多晶硅区在同一对有源区上方延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括多个有源区和多个多晶硅区，其中，用作漏极区的掺杂区位于每一个多晶硅区和与所述每一个多晶硅区相邻的多晶硅区之间，所述每一个多晶硅区和与所述每一个多晶硅区相邻的多晶硅区在不同对有源区上方延伸。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三多晶硅区和所述第三有源区之间的重叠区域与所述第三多晶硅区和所述第二有源区之间的重叠区域的比率大于一。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一多晶硅区和所述第一有源区之间的重叠区域与所述第一多晶硅区和所述第二有源区之间的重叠区域的比率大于一。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二多晶硅区和所述第一有源区之间的重叠区域与所述第二多晶硅区和所述第二有源区之间的重叠区域的比率大于一。

7.根据权利要求1所述半导体器件，其中，所述第二有源区连续延伸至所述第一多晶硅区、所述第二多晶硅区和所述第三多晶硅区下方。

8.一种半导体器件，包括：

第一阱区；

第二阱区，与所述第一阱区平行延伸；

第三阱区，与所述第一阱区和所述第二阱区平行延伸，其中，所述第一阱区、所述第二阱区和所述第三阱区依次相邻；

第一栅极区，设置在所述第一阱区上方；

第二栅极区，设置在所述第二阱区上方并且连接所述第一栅极区；

第三栅极区，设置在所述第三阱区上方；

第四栅极区，设置在所述第二阱区上方并且连接所述第三栅极区；以及

第一漏极区，位于所述第二阱区内并且介于所述第二栅极区和所述第四栅极区之间，并且由所述第二栅极区和所述第四栅极区共用，

其中，所述第一栅极区和所述第二栅极区与所述第三栅极区和所述第四栅极区在不同对阱区上方延伸。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：

第五栅极区，设置在所述第二阱区上方；

第六栅极区，设置在所述第一阱区上方并且连接所述第五栅极区；以及

第一源极区，位于所述第二阱区内并且介于所述第五栅极区和所述第二栅极区之间。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括位于所述第二阱区内并且与所述第一漏极区相邻的第一轻掺杂区，其中，所述第一轻掺杂区的浓度低于所述第一漏极区的浓度。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括位于所述第二阱区内并且与所述第一源极区相邻的第二轻掺杂区，其中，所述第二轻掺杂区的浓度低于所述第一源极区的浓度。