[发明专利]全反射液晶显示面板有效

专利信息
申请号: 201611197533.9 申请日: 2016-12-22
公开(公告)号: CN108227321B 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 游明璋;叶政谚;苏振豪;刘育承 申请(专利权)人: 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司;瀚宇彩晶股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1343
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马雯雯;臧建明
地址: 210038 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 全反射 液晶显示 面板
【权利要求书】:

1.一种全反射液晶显示面板,其特征在于,包括:多个像素单元,每一像素单元包括:

第一基板;

第一扫描线、第二扫描线、第一数据线以及第二数据线,配置在所述第一基板上;

第一像素结构、第二像素结构、第三像素结构及第四像素结构,分别与所述第一扫描线、所述第二扫描线中的一个电性连接,其中所述第一像素结构、所述第二像素结构、所述第三像素结构及所述第四像素结构分别包括:

主动组件;以及

反射像素电极,与所述主动组件电性连接,且所述第一像素结构、所述第二像素结构、所述第三像素结构及所述第四像素结构的反射面积比是1:2:4:8与2:1:4:8其中之一;

第二基板,位于所述第一基板的对向;

共享电极层,与所述反射像素电极电性绝缘,所述共享电极层具有第一开口及第二开口,所述第一开口对应于所述第一像素结构的所述反射像素电极与所述第二像素结构的所述反射像素电极之间的间隙,而所述第二开口对应于所述第三像素结构的所述反射像素电极与所述第四像素结构的所述反射像素电极之间的间隙;以及

液晶层,设置于所述第一基板与所述第二基板之间,

其中所述第一像素结构及所述第二像素结构共同电性连接至所述第二数据线,而所述第三像素结构及所述第四像素结构共同电性连接至所述第一数据线,所述第一像素结构的所述反射像素电极与所述第一扫描线及所述第二数据线的一部分相重叠、所述第二像素结构的所述反射像素电极与所述第二扫描线及所述第二数据线的一部分相重叠、所述第三像素结构的所述反射像素电极与所述第一扫描线及所述第一数据线的一部分相重叠、以及所述第四像素结构的所述反射像素电极与所述第一扫描线、所述第二扫描线及所述第一数据线的一部分相重叠。

2.根据权利要求1所述的全反射液晶显示面板,其特征在于,所述第一像素结构及所述第三像素结构共同电性连接至所述第一扫描线,而所述第二像素结构及所述第四像素结构共同电性连接至所述第二扫描线。

3.根据权利要求1所述的全反射液晶显示面板,其特征在于,每一像素单元还包括间隙物,配置在所述第一基板与所述第二基板之间,并覆盖所述第一像素结构的所述反射像素电极的一部分,且所述第一像素结构、所述第二像素结构、所述第三像素结构及所述第四像素结构的反射面积比是1:2:4:8。

4.根据权利要求1所述的全反射液晶显示面板,其特征在于,每一像素单元还包括间隙物,配置在所述第一基板与所述第二基板之间,并覆盖所述第二像素结构的所述反射像素电极的一部分,且所述第一像素结构、所述第二像素结构、所述第三像素结构及所述第四像素结构的反射面积比是2:1:4:8。

5.根据权利要求3或4所述的全反射液晶显示面板,其特征在于,所述第一像素结构、所述第二像素结构、所述第三像素结构及所述第四像素结构的所述反射像素电极的面积比为1:1:2:4。

6.根据权利要求5所述的全反射液晶显示面板,其特征在于,所述间隙物、所述第一像素结构的所述反射像素电极、所述第二像素结构的所述反射像素电极、所述第三像素结构的所述反射像素电极及所述第四像素结构的所述反射像素电极的面积比为0.5:1:1:2:4。

7.根据权利要求1所述的全反射液晶显示面板,其特征在于,每一像素单元还包括遮光图案,配置在所述第一基板或所述第二基板上,并在所述第二基板的垂直投影方向上遮蔽部分的所述第一像素结构的所述反射像素电极,且所述第一像素结构、所述第二像素结构、所述第三像素结构及所述第四像素结构的反射面积比是1:2:4:8。

8.根据权利要求1所述的全反射液晶显示面板,其特征在于,每一像素单元还包括遮光图案,配置在所述第一基板或所述第二基板上,并在所述第二基板的垂直投影方向上遮蔽部分的所述第二像素结构的所述反射像素电极,且所述第一像素结构、所述第二像素结构、所述第三像素结构及所述第四像素结构的反射面积比是2:1:4:8。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京瀚宇彩欣科技有限责任公司;瀚宇彩晶股份有限公司,未经南京瀚宇彩欣科技有限责任公司;瀚宇彩晶股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611197533.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top