[发明专利]有机发光显示面板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明属于有机发光显示技术领域，具体地讲，涉及一种有机发光显示面板及其制作方法。

背景技术

近年来，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板成为国内外非常热门的新兴平面显示面板产品，这是因为OLED显示面板具有自发光、广视角(达175°以上)、短反应时间(1μs)、高发光效率、广色域、低工作电压(3～10V)、薄厚度(可小于1mm)、可制作大尺寸与可挠曲的面板及制程简单等特性，而且它还具有低成本的潜力。

现有的OLED显示面板依驱动方式可分为被动式OLED显示面板(PM-OLED)和主动式OLED显示面板(AM-OLED)。在主动式OLED显示面板中，通常利用薄膜晶体管(TFT)搭配电容储存信号来控制OLED的亮度灰阶表现。为了达到定电流驱动的目的，每个像素至少需要两个TFT和一个储存电容来构成。然而，这两个TFT通常都是同种类型的，例如都是金属氧化物半导体薄膜晶体管或者低温多晶硅薄膜晶体管。然而，当利用金属氧化物半导体薄膜晶体管作为驱动薄膜晶体管时，金属氧化物半导体薄膜晶体管提供给OLED的电流会出现不稳定的现象，从而导致OLED发光不稳定；而当利用低温多晶硅薄膜晶体管作为引入外部送入的电压信号的开关薄膜晶体管时，低温多晶硅薄膜晶体管的漏电较高，从而无法实现更优的电路关闭效果。

发明内容

为了解决上述现有技术的问题，本发明的目的在于提供一种能够同时实现OLED发光稳定且电路关闭效果更优的有机发光显示面板及其制作方法。

根据本发明的一方面，提供了一种有机发光显示面板，其包括：基板以及形成在所述基板上的驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、存储电容、有机发光器件，外部电压信号经所述开关薄膜晶体管储存在所述存储电容中，所述外部电压信号控制所述驱动薄膜晶体管的导通电流的大小，以控制所述有机发光器件的灰阶，所述驱动薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管为金属氧化物半导体薄膜晶体管。

进一步地，所述低温多晶硅薄膜晶体管为P型低温多晶硅薄膜晶体管，所述金属氧化物半导体薄膜晶体管为N型金属氧化物半导体薄膜晶体管。

根据本发明的一方面，还提供了一种上述的有机发光显示面板的制作方法，其包括：在基板上制作形成多晶硅层和金属氧化物半导体层；在基板、多晶硅层和金属氧化物半导体层上制作形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上制作形成第一栅极、第二栅极和第一存储电容电极；在多晶硅层的两端分别制作形成第一源极接触部和第一漏极接触部，且在金属氧化物半导体层的两端分别制作形成第二源极接触部和第二漏极接触部；在栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极和第一存储电容电极上制作形成层间绝缘层；在层间绝缘层上制作形成第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极和第二存储电容电极；所述第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极贯穿层间绝缘层和栅极绝缘层，以分别与对应的第一源极接触部、第一漏极接触部、第二源极接触部和第二漏极接触部接触；在层间绝缘层、第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极和第二存储电容电极上制作形成平坦层；在平坦层上制作形成底电极；所述底电极贯穿平坦层，以与第一漏极接触；在平坦层和底电极上形成像素限定层，并且在像素限定层中形成暴露底电极的凹槽；在暴露的底电极上顺序形成有机电致发光器件和顶电极。

可选地，在基板上制作形成多晶硅层和金属氧化物半导体层之前，先在基板上制作形成缓冲层。

可选地，在制作形成平坦层之前，先在层间绝缘层、第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极和第二存储电容电极上制作形成钝化层。

可选地，在基板上制作形成多晶硅层和金属氧化物半导体层的方法包括步骤：在基板上沉积非晶硅层；以退火方式使非晶硅层再结晶，从而形成多晶硅层；在基板上沉积与所述多晶硅层分隔开的金属氧化物半导体层。

可选地，在基板、多晶硅层和金属氧化物半导体层上制作形成栅极绝缘层之后，对栅极绝缘层的与多晶硅层相对的部分或栅极绝缘层的与金属氧化物半导体层相对的部分进行减薄。

可选地，在栅极绝缘层上制作形成第一栅极、第二栅极和第一存储电容电极的方法包括步骤：在栅极绝缘层上沉积栅极金属层；在栅极金属层上涂布光阻；对光阻进行曝光、显影，以去除将要形成的第一栅极、第二栅极和第一存储电容电极上的光阻以外的光阻；将暴露出的栅极金属层刻蚀去除。