[发明专利]有机发光显示面板及其制作方法

权利要求书

1.一种有机发光显示面板，其特征在于，包括：基板以及形成在所述基板上的驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、存储电容、有机发光器件，外部电压信号经所述开关薄膜晶体管储存在所述存储电容中，所述外部电压信号控制所述驱动薄膜晶体管的导通电流的大小，以控制所述有机发光器件的灰阶，所述驱动薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管为金属氧化物半导体薄膜晶体管。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板。其特征在于，所述低温多晶硅薄膜晶体管为P型低温多晶硅薄膜晶体管，所述金属氧化物半导体薄膜晶体管为N型金属氧化物半导体薄膜晶体管。

3.一种权利要求1或2所述的有机发光显示面板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上制作形成多晶硅层和金属氧化物半导体层；

在基板、多晶硅层和金属氧化物半导体层上制作形成栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上制作形成第一栅极、第二栅极和第一存储电容电极；

在多晶硅层的两端分别制作形成第一源极接触部和第一漏极接触部，且在金属氧化物半导体层的两端分别制作形成第二源极接触部和第二漏极接触部；

在栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极和第一存储电容电极上制作形成层间绝缘层；

在层间绝缘层上制作形成第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极和第二存储电容电极；所述第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极贯穿层间绝缘层和栅极绝缘层，以分别与对应的第一源极接触部、第一漏极接触部、第二源极接触部和第二漏极接触部接触；

在层间绝缘层、第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极和第二存储电容电极上制作形成平坦层；

在平坦层上制作形成底电极；所述底电极贯穿平坦层，以与第一漏极接触；

在平坦层和底电极上形成像素限定层，并且在像素限定层中形成暴露底电极的凹槽；

在暴露的底电极上顺序形成有机电致发光器件和顶电极。

4.根据权利要求3所述的有机发光显示面板的制作方法，其特征在于，在基板上制作形成多晶硅层和金属氧化物半导体层之前，先在基板上制作形成缓冲层。

5.根据权利要求3所述的有机发光显示面板的制作方法，其特征在于，在制作形成平坦层之前，先在层间绝缘层、第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极和第二存储电容电极上制作形成钝化层。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的有机发光显示面板的制作方法，其特征在于，在基板上制作形成多晶硅层和金属氧化物半导体层的方法包括步骤：

在基板上沉积非晶硅层；

以退火方式使非晶硅层再结晶，从而形成多晶硅层；

在基板上沉积与所述多晶硅层分隔开的金属氧化物半导体层。

7.根据权利要求3至5中任一项所述的有机发光显示面板的制作方法，其特征在于，在基板、多晶硅层和金属氧化物半导体层上制作形成栅极绝缘层之后，对栅极绝缘层的与多晶硅层相对的部分或栅极绝缘层的与金属氧化物半导体层相对的部分进行减薄。

8.根据权利要求3至5中任一项所述的有机发光显示面板的制作方法，其特征在于，在栅极绝缘层上制作形成第一栅极、第二栅极和第一存储电容电极的方法包括步骤：

在栅极绝缘层上沉积栅极金属层；

在栅极金属层上涂布光阻；

对光阻进行曝光、显影，以去除将要形成的第一栅极、第二栅极和第一存储电容电极上的光阻以外的光阻；

将暴露出的栅极金属层刻蚀去除。

9.根据权利要求8所述的有机发光显示面板的制作方法，其特征在于，制作形成第一源极接触部、第一漏极接触部、第二源极接触部和第二漏极接触部的方法包括步骤：

对多晶硅层的两端和金属氧化物半导体层的两端分别进行离子注入；

去除第一栅极、第二栅极和第一存储电容电极上的光阻；

对离子注入后的多晶硅层和金属氧化物半导体层进行加热活化，从而在多晶硅层的两端分别形成第一源极接触部和第一漏极接触部，且在金属氧化物半导体层的两端分别形成第二源极接触部和第二漏极接触部。

10.根据权利要求9所述的有机发光显示面板的制作方法，其特征在于，在对多晶硅层的两端和金属氧化物半导体层的两端分别进行离子注入的步骤中，采用的离子为硼离子。