[发明专利]包含角部凹陷的半导体装置

说明书

公开了一种半导体裸芯，其包含角部凹陷，以避免制造过程中半导体裸芯破裂。在从晶片切片半导体裸芯之前，可以在晶片中、半导体裸芯的任意对之间的角部处形成凹陷。可以通过激光或光刻工艺在半导体裸芯之间的切口区域中形成凹陷。一经形成，角部凹陷防止半导体裸芯的破裂或损坏，否则，由于在背面研磨工艺期间相邻的半导体裸芯相对于彼此移动，该破裂或损坏可能发生在相邻的半导体裸芯的角部。

技术领域

本技术的示例涉及包含角部凹陷的半导体装置。

背景技术

对于便携消费级电子产品的需求的强劲增长驱动了对大容量存储装置的需求。非易失性半导体存储器装置(比如闪存存储卡)被广泛使用，以迎合信息存储和交换的日益增长的需求。其便携性、多功能性以及坚固的设计，连同其高可靠性以及大容量，已经使得这样的存储器装置理想地应用于多种多样的电子装置，包含例如数码相机、数字音乐播放器、视频游戏控制器、PDA以及移动电话。

半导体存储器典型地被提供在半导体封装体内，半导体封装体保护半导体存储器，并且允许存储器与主机装置之间的通信。半导体封装体的示例包含系统级封装(SiP)或多芯片模块(MCM)，其中多个裸芯被安装和互连在小足印(footprint)的基板上。

半导体裸芯典型地在半导体晶片中一起批量加工。集成电路一经被限定在单独的裸芯上，裸芯被从晶片切片并移除，用于安装在封装体内。研磨之前的隐形切片(本文中有时称为“SDBG”)是新兴的切片技术，其中激光脉冲以行和列聚焦在晶片的顶部表面和底部表面上，限定单独的半导体裸芯的轮廓。后续的机械扰动(比如发生在晶片背面研磨工艺期间)，导致晶片沿着限定半导体裸芯轮廓的行和列干净地断裂。

尽管SDBG提供一定的工艺效率，SDBG具有一个缺点，其可能导致单独的半导体裸芯角部处的破裂。特别地，在机械背面研磨工艺期间，其中研磨轮经过已经分离的单独的半导体裸芯之上，裸芯可能彼此碰撞，有时导致角部处的剥落或破裂。尽管在背面研磨工艺期间，裸芯被安装在带上，带允许裸芯之间的小尺寸移动，并且此小移动可能足以导致上述的剥落和破裂。

发明内容

概括起来，本技术的示例涉及一种半导体晶片，其包含：第一主表面；与第一主表面相反的第二主表面；多个半导体裸芯，其包含在晶片的第一主表面中、半导体裸芯的有源区域中形成的集成电路；切口区域，其包含围绕多个半导体裸芯的有源区域的切口线的第一集和第二集；以及多个角部凹陷，其形成在晶片的第一主表面中、在切口线的第一集和第二集的交点处。

在其他示例中，本技术涉及一种由半导体晶片形成的半导体裸芯，半导体裸芯包含：第一主表面；与第一主表面相反的第二主表面，第二主表面包括有源区域和边界；包含集成电路的有源区域；以及一个或多个凹陷部分，其形成在边界内、以及半导体裸芯的面的交会处的一个或多个角部处，提供一个或多个凹陷部分以避免损坏有源区域内的半导体裸芯。

在其他示例中，本技术涉及一种半导体封装体，包含：两个或更多个堆叠的存储器裸芯，堆叠的存储器裸芯的半导体裸芯包含：第一主表面；与第一主表面相反的第二主表面；包含集成电路的有源区域，集成电路形成在第一主表面处；边界，围绕有源区域，不含集成电路；以及一个或多个凹陷部分，其形成在边界内、以及半导体裸芯的面的交会处的一个或多个角部处，提供一个或多个凹陷部分，以防止损坏有源区域内的半导体裸芯；以及电连接到堆叠的存储器裸芯的控制器裸芯，用于将数据传输到存储器裸芯的堆叠体，和从存储器裸芯的堆叠体传输数据。

在另一示例中，本技术涉及一种在晶片内制造多个半导体裸芯的方法，方法包含：(a)在晶片上限定多个半导体裸芯的位置；(b)在晶片的第一主表面处、以及在多个半导体裸芯的有源区域内形成多个集成电路；(c)在有源区域之间的界线处、以及相邻的有源区域之间的角部处形成多个凹陷；(d)切片多个半导体裸芯，以将多个半导体裸芯从晶片至少部分地分离，多个凹陷中的凹陷的一部分位于多个半导体裸芯中的半导体裸芯的角部；以及(e)背面研磨多个半导体裸芯，半导体裸芯的角部处的凹陷的一部分防止其他半导体裸芯接触半导体裸芯的角部。