[发明专利]包含角部凹陷的半导体装置有效

专利信息
申请号: 201611187693.5 申请日: 2016-12-20
公开(公告)号: CN108206161B 公开(公告)日: 2020-06-02
发明(设计)人: 张杭;王伟利;严俊荣;莫金理;陈治强;陈昌恩;田鑫 申请(专利权)人: 晟碟半导体(上海)有限公司;晟碟信息科技(上海)有限公司
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L21/78
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 上海市闵*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 包含 凹陷 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体晶片,包含:

第一主表面;

第二主表面,所述第二主表面与所述第一主表面相反;

多个半导体裸芯,所述多个半导体裸芯包含形成在所述晶片的所述第一主表面中、所述半导体裸芯的有源区域中的集成电路;

切口区域,所述切口区域包含切口线的第一集和第二集,所述切口线围绕所述多个半导体裸芯的所述有源区域;以及

多个角部凹陷,所述多个角部凹陷形成在所述晶片的所述第一主表面中、位于所述切口线的第一集和第二集的交点处,

其中所述多个角部凹陷中的至少一个角部凹陷形成为一深度,在所述半导体晶片被减薄为其最终厚度之后,所述深度小于所述半导体晶片的厚度。

2.如权利要求1所述的半导体晶片,其中将所述多个半导体裸芯彼此切片时,所述角部凹陷的一部分留在多个相邻的所述半导体裸芯中。

3.如权利要求2所述的半导体晶片,其中在所述半导体裸芯的切片之后,以及将所述半导体裸芯固定到半导体封装体内之前,所述半导体裸芯中的所述角部凹陷的所述一部分防止损坏所述半导体裸芯的角部。

4.如权利要求1所述的半导体晶片,其中所述多个角部凹陷中的角部凹陷设置在所述切口线的第一集和第二集的第一切口线和第二切口线的交点内,所述角部凹陷的区域小于由所述第一切口线和第二切口线的所述交点限定的交点区域。

5.如权利要求1所述的半导体晶片,其中所述多个角部凹陷中的角部凹陷设置在所述切口线的第一集和第二集的第一切口线和第二切口线的交点内,所述角部凹陷的区域大约等于由所述第一切口线和第二切口线的所述交点限定的区域。

6.如权利要求1所述的半导体晶片,其中所述多个角部凹陷中的角部凹陷具有正方形形状和圆形形状中的一个。

7.一种由半导体晶片形成的半导体裸芯,所述半导体裸芯包含:

第一主表面;

第二主表面,所述第二主表面与所述第一主表面相反;其中第二主表面包括有源区域和边界;

有源区域,所述有源区域包含集成电路;以及

一个或多个凹陷部分,所述一个或多个凹陷部分形成在所述边界处的不包括所述有源区域的无源区域内,以及在所述半导体裸芯的面交会处的一个或多个角部处,所述一个或多个凹陷部分设置为以防止损坏所述有源区域内的所述半导体裸芯,

其中所述一个或多个凹陷部分形成为一深度,所述深度小于所述半导体裸芯的厚度。

8.如权利要求7所述的半导体裸芯,其中所述一个或多个凹陷部分包含位于所述半导体裸芯的四个角部处的四个凹陷部分。

9.如权利要求7所述的半导体裸芯,其中所述半导体裸芯是闪存存储器半导体裸芯。

10.一种半导体封装体,包含:

两个或更多个堆叠的存储器裸芯,所述堆叠的存储器裸芯中的半导体裸芯包含:

第一主表面,

第二主表面,所述第二主表面与所述第一主表面相反,

有源区域,所述有源区域包含集成电路,所述集成电路形成在所述第一主表面处,

边界,所述边界围绕所述有源区域,形成不含集成电路的无源区域,以及

一个或多个凹陷部分,所述一个或多个凹陷部分形成在所述无源区域内,以及在所述半导体裸芯的面的交会处的一个或多个角部处,所述一个或多个凹陷部分设置为防止损坏所述有源区域内的所述半导体裸芯;以及

控制器裸芯,所述控制器裸芯电连接到所述堆叠的存储器裸芯,用于控制将数据传输到所述堆叠的存储器裸芯,和从所述堆叠的存储器裸芯传输数据,

其中所述一个或多个凹陷部分形成为一深度,所述深度小于所述半导体裸芯的厚度。

11.如权利要求10所述的半导体封装体,其中所述一个或多个凹陷部分包含位于所述半导体裸芯的四个角部处的四个凹陷部分。

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