[发明专利]频率可重构偶极子天线的SPIN二极管器件的制造工艺

说明书

技术领域

本发明涉及天线技术，尤其涉及一种频率可重构偶极子天线的SPIN二极管器件的制造工艺。

背景技术

随着科学技术的进一步发展，无线通信技术在人们的生活中发挥着越来越重要的作用。无线通信利用无线电波进行工作，而无线电波的接收和发送靠天线完成，天线的性能直接影响整个无线通信系统。

随着无线系统向大容量、多功能、多频段/超宽带方向的发展，不同通信系统相互融合，使得在同一平台上搭载的信息子系统数量增加，天线数量也相应增加，但天线数量的增加对通信系统的电磁兼容性、成本、重量等方面有较大的负面影响。因此，无线通信系统要求天线能根据实际使用环境来改变其电特性，即实现天线特性的“可重构”。可重构天线具有多个天线的功能，减少了系统中天线的数量。其中，可重构微带天线因其体积较小，剖面低等优点受到可重构天线研究领域的关注。

目前的频率可重构微带天线的各部分有互耦影响，频率跳变慢，馈源结构复杂，隐身性能不佳，剖面高，集成加工的难度高。

发明内容

因此，为解决上述现有技术存在的技术缺陷和不足，本发明提供一种频率可重构偶极子天线的SPIN二极管器件的制造工艺，该SPIN二极管器件用于制造频率可重构偶极子天线，该频率可重构偶极子天线包括：Si基SOI半导体基片(1)；固定在Si基SOI半导体基片(1)上的第一天线臂(2)、第二天线臂(3)和同轴馈线(4)；第一天线臂(2)和第二天线臂(3)分别设置于同轴馈线(4)的两侧且包括多个SPIN二极管串，在天线处于工作状态时，第一天线臂(2)和第二天线臂(3)根据多个SPIN二极管串的导通与关断实现天线臂长度的调节；

其中，SPIN二极管的制造方法包括如下步骤：

选择SOI衬底(101)；

刻蚀SOI衬底(101)形成隔离槽，填充隔离槽形成隔离区(301)；

刻蚀SOI衬底(101)形成P区深槽(501)和N区深槽(502)；

在P区深槽(501)及N区深槽(502)内采用离子注入的方式形成P⁺有源区(601)和N⁺有源区(602)；

在SOI衬底(101)上生成引线。

在本发明提供的一种用于频率可重构偶极子天线的SOI基SPIN二极管的制作方法中，刻蚀SOI衬底(101)形成隔离槽，包括：

在SOI衬底(101)表面形成第一保护层；

利用光刻工艺在第一保护层上形成第一隔离区图形；

利用干法刻蚀工艺在第一隔离区图形的指定位置处刻蚀第一保护层及SOI衬底(101)以形成隔离槽。

在本发明提供的一种用于频率可重构偶极子天线的SOI基SPIN二极管的制作方法中，在SOI衬底(101)表面形成第一保护层，包括：

采用CVD的方法在SOI衬底(101)上连续生长两层材料，其中，第一层为SiO₂层(201)，第二层为SiN层(202)。

在本发明提供的一种用于频率可重构偶极子天线的SOI基SPIN二极管的制作方法中，刻蚀SOI衬底(101)形成P区深槽(501)和N区深槽(502)，包括：

在SOI衬底(101)表面形成第二保护层；

利用光刻工艺在第二保护层上形成第二隔离区图形；

利用干法刻蚀工艺在第二隔离区图形的指定位置处刻蚀第二保护层及SOI衬底(101)以形成P区深槽(501)和N区深槽(502)。

在本发明提供的一种用于频率可重构偶极子天线的SOI基SPIN二极管的制作方法中，在SOI衬底(101)表面形成第二保护层，包括：

采用CVD的方法在SOI衬底(101)上连续生长两层材料，其中，第一层为SiO₂层(401)，第二层为SiN层(402)。

在本发明提供的一种用于频率可重构偶极子天线的SOI基SPIN二极管的制作方法中，在P区深槽(501)及N区深槽(502)内采用离子注入的方式形成P⁺有源区(601)和N⁺有源区(602)，包括：

平整化P区深槽(501)和N区深槽(502)；