[发明专利]频率可重构偶极子天线的SPIN二极管器件的制造工艺

权利要求书

1.一种频率可重构偶极子天线的SPIN二极管器件的制造工艺，其特征在于，所述SPIN二极管器件用于制造所述频率可重构偶极子天线，所述频率可重构偶极子天线包括：Si基SOI半导体基片(1)；固定在Si基SOI半导体基片(1)上的第一天线臂(2)、第二天线臂(3)和同轴馈线(4)；所述第一天线臂(2)和所述第二天线臂(3)分别设置于所述同轴馈线(4)的两侧且包括多个SPIN二极管串，在天线处于工作状态时，所述第一天线臂(2)和所述第二天线臂(3)根据多个SPIN二极管串的导通与关断实现天线臂长度的调节；

其中，所述SPIN二极管的制造方法包括如下步骤：

选择SOI衬底(101)；

刻蚀所述SOI衬底(101)形成隔离槽，填充所述隔离槽形成隔离区(301)；

刻蚀所述SOI衬底(101)形成P区深槽(501)和N区深槽(502)；

在所述P区深槽(501)及所述N区深槽(502)内采用离子注入的方式形成P⁺有源区(601)和N⁺有源区(602)；

在所述SOI衬底(101)上生成引线。

2.如权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，刻蚀所述SOI衬底(101)形成隔离槽，包括：

在所述SOI衬底(101)表面形成第一保护层；

利用光刻工艺在所述第一保护层上形成第一隔离区图形；

利用干法刻蚀工艺在所述第一隔离区图形的指定位置处刻蚀所述第一保护层及所述SOI衬底(101)以形成所述隔离槽。

3.如权利要求2所述的制造工艺，其特征在于，在所述SOI衬底(101)表面形成第一保护层，包括：

采用CVD的方法在所述SOI衬底(101)上连续生长两层材料，其中，第一层为SiO₂层(201)，第二层为SiN层(202)。

4.如权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，刻蚀所述SOI衬底(101)形成P区深槽(501)和N区深槽(502)，包括：

在所述SOI衬底(101)表面形成第二保护层；

利用光刻工艺在所述第二保护层上形成第二隔离区图形；

利用干法刻蚀工艺在所述第二隔离区图形的指定位置处刻蚀所述第二保护层及所述SOI衬底(101)以形成所述P区深槽(501)和所述N区深槽(502)。

5.如权利要求4所述的制造工艺，其特征在于，在所述SOI衬底(101)表面形成第二保护层，包括：

采用CVD的方法在所述SOI衬底(101)上连续生长两层材料，其中，第一层为SiO₂层(401)，第二层为SiN层(402)。

6.如权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，在所述P区深槽(501)及所述N区深槽(502)内采用离子注入的方式形成P⁺有源区(601)和N⁺有源区(602)，包括：

平整化所述P区深槽(501)和所述N区深槽(502)；

对所述P区深槽(501)和所述N区深槽(502)进行离子注入以形成第一P⁺有源区和第一N⁺有源区；填充所述P区深槽(501)和所述N区深槽(502)以形成P接触区和N接触区；对所述P接触区和所述N接触区所在区域进行离子注入以在所述SOI衬底(101)的顶层硅内形成第二P⁺有源区和第二N⁺有源区；

其中，所述第一N⁺有源区为沿离子扩散方向距所述N区深槽(502)侧壁和底部深度小于1微米的区域，所述第一P⁺有源区为沿离子扩散方向距所述P区深槽(501)侧壁和底部深度小于1微米的区域。

7.如权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，所述在所述SOI衬底(101)上生成引线，包括：

在所述SOI衬底(101)上生成二氧化硅；

利用退火工艺激活所述P⁺有源区(601)和所述N⁺有源区(602)中的杂质；

在P接触区和N接触区光刻引线孔以形成引线；

钝化处理并光刻PAD以形成所述SPIN二极管。