[发明专利]半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201611182279.5 申请日: 2016-12-20
公开(公告)号: CN106920791B 公开(公告)日: 2021-12-28
发明(设计)人: 安藤宪 申请(专利权)人: 斯坦雷电气株式会社
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L25/00;H01L33/48
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 发光 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体发光装置,该半导体发光装置具有:

基板,在该基板上设有配线图案;

多个发光元件,它们呈矩形状,在该基板上以规定的间隔排列,经由AuSn接合层与所述配线图案电连接;以及

多个突起,它们排列在露出于所述发光元件之间的间隙中的所述配线图案上,形成如下流路,该流路供在使用涂覆了活性剂的AuSn接合层将所述发光元件接合于所述配线图案时流出的所述活性剂流入,

所述基板由陶瓷或者热固化树脂形成,

所述AuSn接合层形成于所述配线图案上的发光元件的安装区域,且与所述发光元件的安装面积一致,在俯视观察时呈矩形状,以沿所述发光元件的短边方向设置有相等间隔的所述间隙的方式排列有多个,

所述多个突起以隔开供所述活性剂流入的间隔的方式配置在所述多个发光元件的长边之间的间隙的中心线上,所述突起的高度为10μm以上,

所述突起的最靠所述发光元件的长边的边缘与所述发光元件的长边之间的距离为2.0μm至4μm。

2.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其中,

所述配线图案使用了Al、Ni、Cu、Ag、Au中的任意的导电性材料。

3.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其中,

所述突起由抗蚀剂构成。

4.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其中,

所述突起由高粘度触变树脂构成。

5.一种半导体发光装置的制造方法,该制造方法包括以下步骤:

在形成于基板的配线图案上,为了与多个发光元件的安装区域对应地以相等间隔排列所述发光元件,将与所述发光元件的安装面积一致的在俯视观察时呈矩形状的AuSn接合层以沿所述发光元件的短边方向设置有相等间隔的间隙的方式排列多个而形成在所述安装区域;

在露出于所述AuSn接合层之间的间隙中的所述配线图案上且所述多个发光元件的长边之间的间隙的中心线上隔开间隔而形成多个高度为10μm以上的突起;

在所述AuSn接合层上涂覆活性剂;

在涂覆了所述活性剂的所述AuSn接合层上分别配置所述发光元件;以及

对所述AuSn接合层进行加热而使之熔融,通过该加热而流出的所述活性剂流入到多个所述突起之间,在该状态下使所述AuSn接合层固化,由此,通过AuSn共晶接合使使所述发光元件与所述AuSn接合层接合,

所述基板由陶瓷或者热固化树脂形成。

6.根据权利要求5所述的半导体发光装置的制造方法,其中,

所述配线图案使用了Al、Ni、Cu、Ag、Au中的任意的导电性材料,

在形成所述突起的步骤中,以使所述突起的最靠所述发光元件的长边的边缘与所述发光元件的长边之间的距离为2.0μm至4μm的方式形成所述突起。

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