[发明专利]互连结构及其形成方法在审

专利信息
申请号: 201611169409.1 申请日: 2016-12-16
公开(公告)号: CN106935568A 公开(公告)日: 2017-07-07
发明(设计)人: 张哲诚;林志翰 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/532 分类号: H01L23/532;H01L21/768
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 互连 结构 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种互连结构,包括:

非绝缘体结构;

衬垫层,位于所述非绝缘体结构上并且具有位于其中的开口;

介电结构,位于所述衬垫层上,所述介电结构包括位于其中的通孔开口,所述通孔开口具有侧壁;

导电结构,位于所述介电结构的所述通孔开口中并通过所述衬垫层的所述开口电连接至所述非绝缘体结构;以及

防粘层,位于所述介电结构的所述通孔开口的所述侧壁和所述导电结构之间。

2.根据权利要求1所述的互连结构,其中,所述防粘层对于蚀刻所述衬垫层的所述开口的副产物的粘附能力弱于所述介电结构的所述通孔开口的所述侧壁对所述副产物的粘附能力。

3.根据权利要求1所述的互连结构,其中,所述非绝缘体结构包括金属。

4.根据权利要求3所述的互连结构,其中,所述防粘层对于所述金属的粘附能力弱于所述介电结构的所述通孔开口的所述侧壁对于所述金属的粘附能力。

5.根据权利要求1所述的互连结构,其中,所述衬垫层和所述防粘层被所述介电结构的一部分分开。

6.根据权利要求1所述的互连结构,其中,所述介电结构进一步包括位于其中的沟槽开口,其中,所述通孔开口位于所述沟槽开口和所述非绝缘体结构之间,并且其中,所述防粘层位于邻近于所述沟槽开口的所述介电结构的所述通孔开口的所述侧壁的一部分上。

7.根据权利要求1所述的互连结构,其中,所述沟槽开口与所述通孔开口相连。

8.根据权利要求1所述的互连结构,其中,所述导电结构进一步位于所述沟槽开口中。

9.一种互连结构,包括:

非绝缘体结构;

衬垫层,位于所述非绝缘体结构上并且具有位于其中的开口;

介电结构,位于所述衬垫层上,所述介电结构包括位于其中的通孔开口,所述通孔开口具有侧壁;

介电通孔衬垫,位于所述介电结构的所述通孔开口的所述侧壁上并与所述衬垫层分开;以及

导电结构,位于所述通孔开口中并通过所述衬垫层的所述开口电连接至所述非绝缘体结构。

10.一种形成互连结构的方法,包括:

在非绝缘体结构上形成衬垫层;

在所述衬垫层上形成介电结构;

在所述介电结构中形成通孔开口;

在所述通孔开口的至少一个侧壁上形成防粘层;

在形成所述防粘层之后,移除所述通孔开口之下的所述衬垫层的一部分以暴露所述非绝缘体结构;以及

在所述通孔开口中形成导电结构,其中,所述导电结构电连接至所述非绝缘体结构。

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