[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上具有鳍部，所述鳍部包括隔离区和位于所述隔离区两侧的器件区，所述鳍部隔离区中具有开口，所述开口在垂直于所述鳍部延伸方向上贯穿所述鳍部；

在所述衬底上和开口中形成初始隔离结构，所述初始隔离结构覆盖所述鳍部侧壁；

对所述初始隔离结构进行刻蚀处理，减小所述初始隔离结构的厚度，在衬底上和开口中形成隔离结构，所述隔离结构表面低于所述鳍部顶部表面，且开口中的隔离结构与位于衬底上且位于器件区侧壁表面的隔离结构齐平；

在所述开口中的隔离结构上形成隔离层；

在所述隔离层上形成伪栅极结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始隔离结构表面高于或齐平于所述鳍部顶部表面。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀处理的工艺包括各向同性干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀处理的工艺包括各向同性干法刻蚀工艺；刻蚀处理的工艺参数包括：刻蚀气体包括HF；反应温度为180℃～220℃。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀处理对所述隔离结构与所述鳍部的刻蚀选择比值大于100。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离结构的工艺包括：流体化学气相沉积工艺。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离结构的材料为氧化硅。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料为氧化硅或氮氧化硅。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离层的步骤包括：在所述隔离结构上形成牺牲层，所述牺牲层暴露出所述开口中的隔离结构；在所述牺牲层上以及所述开口中的隔离结构上形成初始隔离层；去除所述牺牲层上的初始隔离层，形成隔离层；去除所述牺牲层上的初始隔离层之后，去除所述牺牲层。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述初始隔离层的工艺包括原子层沉积工艺。

11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为抗反射涂层或有机介质层。

12.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述牺牲层上的初始隔离层的工艺包括干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离层之后，还包括：形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部部分侧壁和顶部表面；通过外延生长工艺在所述栅极结构两侧的衬底中形成源漏掺杂层。

14.如权利要求1或13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层表面高于或者平齐于所述鳍部顶部表面；所述伪栅极结构还位于所述开口侧壁的鳍部部分顶部上。