[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域衬底中形成第一掺杂区，所述第一掺杂区中具有第一掺杂离子；在所述第二区域衬底中形成第二掺杂区，所述第二掺杂区中具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反；在所述第一掺杂区表面形成第一金属化物；在所述第二掺杂区表面形成第二金属化物，所述第二金属化物与所述第一金属化物的材料不相同。所述形成方法能够降低所述第一掺杂层与第一金属化物的接触电阻，且降低所述第二掺杂层与所述第二金属化物之间的接触电阻，进而改善所形成半导体结构的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

随着半导体技术的不断进步，半导体器件的特征尺寸逐渐变小。关键尺寸的缩小意味着在芯片上可布置更多数量的晶体管，同时给半导体工艺提出了更高的要求。

由于金属具有良好的导电性，在半导体技术中，往往通过金属插塞实现半导体连接件(例如，栅极和源漏掺杂区)与外部电路的电连接。然而，由于金属与半导体之间的费米能级相差较大，金属插塞与半导体连接件之间的势垒较高，导致金属插塞与半导体连接件之间的接触电阻较大。现有技术通过在金属插塞与半导体连接件之间形成金属硅化物来降低接触电阻，提高半导体结构的性能。

然而，现有技术形成的半导体结构仍然存在金属插塞与半导体连接件之间的接触电阻较大的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，能够降低金属插塞与半导体连接件之间的接触电阻，改善所形成半导体结构的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域衬底中形成第一掺杂区，所述第一掺杂区中具有第一掺杂离子；在所述第二区域衬底中形成第二掺杂区，所述第二掺杂区中具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反；在所述第一掺杂区表面形成第一金属化物；在所述第二掺杂区表面形成第二金属化物，所述第二金属化物与所述第一金属化物的材料不相同。

可选的，所述第一掺杂离子为P型离子；所述第二掺杂离子为N型离子；所述第一金属化物的材料为PtSi、NiPtSi或NiSi；所述第二金属化物的材料为TiSi。

可选的，形成所述第一金属化物的步骤包括：在所述第二掺杂区上形成保护层，所述保护层的材料与所述第二掺杂区的材料不相同；形成所述保护层之后，对所述第一掺杂区进行第一金属化处理，在所述第一掺杂区表面形成第一金属化物；形成所述第二金属化物的步骤包括：所述第一金属化处理之后，去除所述第二掺杂区上的保护层，暴露出所述第二掺杂区；去除所述第二掺杂区上的保护层之后，对所述第二掺杂区进行第二金属化处理，在所述第二掺杂区表面形成第二金属化物。

可选的，形成所述保护层的步骤包括：在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区上形成初始保护层；去除所述第一掺杂区上的初始保护层，形成保护层。

可选的，去除所述第一掺杂区上的初始保护层的工艺包括：干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。

可选的，所述第一金属化处理的步骤包括：在所述保护层上和所述第一掺杂区表面形成第一金属层，所述第一金属层与所述第一掺杂区反应形成第一金属化物；去除所述保护层上的第一金属层；所述第二金属化处理的步骤包括：在所述第一金属化物和所述第二掺杂区上形成第二金属层，所述第二金属层与所述第二掺杂区反应形成第二金属化物；去除所述第一金属化物上的第二金属层。

可选的，所述第一掺杂离子为P型离子，所述第二掺杂离子为N型离子；所述第一金属层的材料为Pt、NiPt或Ni；所述第二金属层的材料为Ti。