[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；

在所述第一区域衬底中形成第一掺杂区，所述第一掺杂区中具有第一掺杂离子；

在所述第二区域衬底中形成第二掺杂区，所述第二掺杂区中具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反；

在所述第一掺杂区表面形成第一金属化物；

在所述第二掺杂区表面形成第二金属化物，所述第二金属化物与所述第一金属化物的材料不相同。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂离子为P型离子；所述第二掺杂离子为N型离子；

所述第一金属化物的材料为PtSi、NiPtSi或NiSi；所述第二金属化物的材料为TiSi。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一金属化物的步骤包括：在所述第二掺杂区上形成保护层，所述保护层的材料与所述第二掺杂区的材料不相同；形成所述保护层之后，对所述第一掺杂区进行第一金属化处理，在所述第一掺杂区表面形成第一金属化物；

形成所述第二金属化物的步骤包括：所述第一金属化处理之后，去除所述第二掺杂区上的保护层，暴露出所述第二掺杂区；去除所述第二掺杂区上的保护层之后，对所述第二掺杂区进行第二金属化处理，在所述第二掺杂区表面形成第二金属化物。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤包括：在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区上形成初始保护层；去除所述第一掺杂区上的初始保护层，形成保护层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一掺杂区上的初始保护层的工艺包括：干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。

6.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一金属化处理的步骤包括：在所述保护层上和所述第一掺杂区表面形成第一金属层，所述第一金属层与所述第一掺杂区反应形成第一金属化物；去除所述保护层上的第一金属层；

所述第二金属化处理的步骤包括：在所述第一金属化物和所述第二掺杂区上形成第二金属层，所述第二金属层与所述第二掺杂区反应形成第二金属化物；去除所述第一金属化物上的第二金属层。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂离子为P型离子，所述第二掺杂离子为N型离子；

所述第一金属层的材料为Pt、NiPt或Ni；所述第二金属层的材料为Ti。

8.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层之后，进行第一金属化处理之前，还包括：在所述第一区域和第二区域衬底上形成介质层，所述第一区域介质层中具有第一接触孔，所述第一接触孔贯穿所述第一掺杂区上方的介质层，所述第二区域介质层中具有第二接触孔，所述第二接触孔贯穿所述第二掺杂区上的介质层。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述介质层的步骤包括：在所述第一掺杂区和所述保护层上形成停止层，所述停止层的材料与所述保护层的材料不相同；在所述停止层上形成初始介质层；对所述初始介质层进行刻蚀，形成介质层以及位于所述介质层中的第一接触孔和第二接触孔；以所述介质层为掩膜对所述停止层进行刻蚀，去除所述第一接触孔底部和第二接触孔底部的停止层，使所述第一接触孔暴露出所述第一掺杂区，并使所述第二接触孔暴露出所述保护层。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述初始介质层进行刻蚀的工艺包括干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。