[发明专利]SiC晶体切片移动设备及移动方法

说明书

本发明提供了一种SiC晶体切片移动设备及移动方法，所述SiC切片移动设备包括支撑台、平行设置的两个支撑架以及顶盘，对SiC锭进行激光照射之后，在所述SiC锭上形成多个SiC切片，将所述SiC锭放置于支撑台上，两个支撑架固定所述SiC锭，移动顶盘至所述SiC锭的顶部，吸附第一SiC切片，移动所述顶盘，使所述顶盘吸附所述第一SiC切片离开所述SiC锭，将所述第一SiC切片放置于所述切片接收台上，完成第一SiC切片的分离，然后移动支撑架，对其余的SiC切片进行分离，其分离SiC切片的方法简单，操作方便，从一定程度上提高了SiC切片的分离效率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种SiC晶体切片移动设备及移动方法。

背景技术

碳化硅(SiC)作为第三代宽带隙半导体的代表材料之一具有优良的物化性能，与第一代半导体硅(Si)和第二代半导体砷化钙(GaAs)等单晶材料相比，具有禁带宽度大、热导率高、载流子饱和迁移速率大，临界击穿场强高和相对介电常数低等诸多优异的性质。基于这些优良的特性，碳化硅材料是制备高温电子器件、高频大功率器件更为理想的材料。特别是在极端条件和恶劣条件下应用时，SiC器件的特性远远超过了Si器件和GaAs器件。在光电子领域，相对传统衬底材料Si与蓝宝石，SiC晶格及热适配更小，用SiC衬底制作的LED(Light-Emitting Diode，发光二极管)性能远优于蓝宝石衬底。

随着SiC单晶生长技术的日趋成熟，如何获得具有完美表面的SiC单晶片成为材料应用的关键技术之一。为了制造高性能的SiC电子器件，要求晶片晶格完整，具有平整度极高的无损伤超平滑表面，且无晶向偏差。因为即使表面存在微小缺陷，都将破坏晶体材料的表面性能，甚至导致结晶构造的变化，影响器件的电学性能。

现有技术中，SiC单晶片的获得一般包括以下步骤：首先提供SiC锭，所述SiC锭一般为圆柱形，例如厚度为20mm、截面为4英寸的圆柱体；对所述SiC锭进行线锯切割(Wiresaw slicing)形成SiC切片，例如形成厚度为350um的SiC切片；对所述SiC切片进行研磨、抛光以及刻蚀，最终形成4英寸的SiC单晶片。

但是由于SiC锭的硬度比较高，线锯切割获得一片SiC切片花费的时间比较多，现在一般通过激光照射来形成SiC切片，以此提高切片效率。但是激光照射之后，还需要在激光照射面将SiC切片从SiC锭分离，因此需要提供一种SiC晶体切片移动设备及移动方法将所述SiC切片从SiC锭分离。

发明内容

本发明的目的在于提供一种SiC晶体切片移动设备及移动方法，能够简单快速的将经过激光照射之后形成的SiC切片从SiC锭分离。

本发明的技术方案是一种SiC晶体切片移动设备，包括支撑台、平行设置的两个支撑架，所述支撑架的延伸方向为第一方向；所述支撑架与所述支撑台相连接，所述支撑架能够在所述第一方向上沿所述支撑台移动并固定于所述支撑台上；两个所述支撑架相对设置，用于固定SiC锭；

还包括与所述支撑台相连接的顶盘，所述顶盘能够在所述第一方向上沿所述支撑台移动，并能够沿所述支撑台旋转；所述顶盘远离或靠近所述SiC锭，用于吸附所述SiC锭上的SiC切片，使所述SiC切片离开所述SiC锭。

进一步的，所述顶盘上靠近所述SiC锭的一侧依次设置有半导体制冷器与静电卡盘。

进一步的，所述支撑台包括支撑座与两个支撑柱，两个所述支撑柱设置于所述支撑座的两侧，所述支撑座用于支撑所述SiC锭。

进一步的，所述支撑柱的延伸方向为第一方向，每个所述支撑架通过滑杆与一所述支撑柱相连接，所述支撑架通过所述滑杆在第一方向上沿所述支撑柱移动并固定于所述支撑柱上。

进一步的，所述SiC切片移动设备还包括：切片接收台，用于接收所述顶盘上吸附的SiC切片。