[发明专利]SiC晶体切片移动设备及移动方法

权利要求书

1.一种SiC切片移动设备，其特征在于，包括支撑台、平行设置的两个支撑架，所述支撑架的延伸方向为第一方向；所述支撑架与所述支撑台相连接，所述支撑架能够在所述第一方向上沿所述支撑台移动并固定于所述支撑台上；两个所述支撑架相对设置，用于固定SiC锭；

还包括与所述支撑台相连接的顶盘，所述顶盘能够在所述第一方向上沿所述支撑台移动，并能够沿所述支撑台旋转；所述顶盘远离或靠近所述SiC锭，用于吸附所述SiC锭上的SiC切片，使所述SiC切片离开所述SiC锭；

其中，所述支撑台包括支撑座与两个支撑柱，两个所述支撑柱设置于所述支撑座的两侧，所述支撑座用于支撑所述SiC锭，所述支撑架能够在所述第一方向上沿所述支撑柱移动并固定于所述支撑柱上，以使所述支撑架在所述第一方向上的上表面与最上面的所述SiC切片的下表面平齐。

2.如权利要求1所述的SiC切片移动设备，其特征在于，所述顶盘上靠近所述SiC锭的一侧依次设置有半导体制冷器与静电卡盘。

3.如权利要求1所述的SiC切片移动设备，其特征在于，所述支撑柱的延伸方向为第一方向，每个所述支撑架通过滑杆与一所述支撑柱相连接，所述支撑架通过所述滑杆在第一方向上沿所述支撑柱移动并固定于所述支撑柱上。

4.如权利要求1所述的SiC切片移动设备，其特征在于，所述SiC切片移动设备还包括：切片接收台，用于接收所述顶盘上吸附的SiC切片。

5.一种SiC晶体切片移动方法，其特征在于，对SiC锭进行激光照射，在所述SiC锭上形成多个SiC切片，所述多个SiC切片包括：第一SiC切片、第二SiC切片，采用如权利要求1～4中任一项所述的SiC切片移动设备，使所述SiC切片离开所述SiC锭。

6.如权利要求5所述的SiC晶体切片移动方法，其特征在于，所述SiC晶体切片移动方法包括：

将所述SiC锭放置于所述支撑座上，所述支撑架固定所述SiC锭，所述支撑架在第一方向上的上表面与所述第一SiC切片的下表面平齐；

移动所述顶盘至所述SiC锭的顶部，吸附第一SiC切片；

移动所述顶盘，使所述顶盘吸附所述第一SiC切片离开所述SiC锭；

将所述第一SiC切片放置于所述切片接收台上。

7.如权利要求6所述的SiC晶体切片移动方法，其特征在于，移动所述顶盘至所述SiC锭的顶部时，打开静电卡盘；将所述第一SiC切片放置于所述切片接收台上之后，关闭所述静电卡盘。

8.如权利要求7所述的SiC晶体切片移动方法，其特征在于，移动所述顶盘，使所述顶盘吸附所述第一SiC切片离开所述SiC锭时，打开半导体制冷器，通过所述顶盘在第一方向上的移动以及沿所述支撑台的旋转，使所述顶盘吸附所述第一SiC切片离开所述SiC锭，然后关闭所述半导体制冷器。

9.如权利要求8所述的SiC晶体切片移动方法，其特征在于，所述半导体制冷器的制冷温度为-30℃～-10℃。

10.如权利要求6所述的SiC晶体切片移动方法，其特征在于，所述SiC晶体切片移动方法还包括：移动所述支撑架，然后将所述支撑架重新固定于所述SiC锭上，所述支撑架在第一方向上的上表面与第二SiC切片的下表面平齐，然后不断重复至分离所述SiC锭上所有的SiC切片。

11.如权利要求10所述的SiC晶体切片移动方法，其特征在于，还包括：再次对所述SiC锭进行激光照射，在所述SiC锭上形成多个SiC切片，采用所述SiC切片移动设备，使所有的SiC切片离开所述SiC锭。