[发明专利]电致发光器件及其制作方法有效
申请号: | 201611163598.1 | 申请日: | 2016-12-15 |
公开(公告)号: | CN107369778B | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 李哲 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 林青中;万志香 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种电致发光器件,其特征在于,包括衬底、图案化的阳极层、像素界定层、发光功能层、阴极层及反射层;所述阳极层设在所述衬底上;所述像素界定层设在所述衬底及所述阳极层上,所述像素界定层对应所述阳极层的图案区域设有贯穿至所述阳极层的像素坑,且对应所述阳极层的空白区域设有阻断坑,所述阻断坑的深度不小于所述像素坑的深度,所述阻断坑的侧表面与所述衬底之间所成的夹角小于90°且大于20°,所述阻断坑的侧表面和上表面设有所述反射层;所述发光功能层设在所述像素坑内且不高于所述像素坑的深度;所述阴极层设在所述发光功能层上。
2.如权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,所述阻断坑的侧表面与所述衬底之间所成的夹角在20°~60°之间。
3.如权利要求2所述的电致发光器件,其特征在于,所述阻断坑的侧表面与所述衬底之间所成的夹角为45°。
4.如权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,所述阻断坑的深度等于所述像素坑的深度与所述阳极层的厚度之和。
5.如权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,所述反射层覆盖所述像素界定层的所有表面。
6.如权利要求5所述的电致发光器件,其特征在于,所述反射层的材料与所述阴极层的材料相同,且所述反射层与所述阴极层为一体成型的层。
7.如权利要求1~6中任一项所述的电致发光器件,其特征在于,所述发光功能层包括红色发光层、绿色发光层及蓝色发光层中的至少一种颜色的发光层。
8.如权利要求7所述的电致发光器件,其特征在于,所述发光功能层还包括位于所述阳极层与所述发光层之间的空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一层;和/或
所述发光功能层还包括位于所述发光层与所述阴极层之间的电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层中的至少一层。
9.一种电致发光器件的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
在衬底上形成图案化的阳极层;
在具有图案化的阳极层的衬底上形成像素界定母层;
在所述像素界定母层的预设区域覆盖光罩,进行曝光、显影处理,以在对应所述阳极层的图案区域形成贯穿至所述阳极层的像素坑,并在对应所述阳极层的空白区域形成深度不小于所述像素坑的深度的阻断坑,所述阻断坑的侧表面与所述衬底之间所成的夹角小于90°且大于20°,得到像素界定层;
在所述像素坑的阳极层表面形成发光功能层;
在所述发光功能层上形成阴极层,并在所述阻断坑的侧表面及上表面形成一体式的反射层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择