[发明专利]一种制作透射电镜样品的方法

说明书

本发明提供了一种制作透射电镜样品的方法，其中，提供一待观测硅片，待观测硅片中包括一失效点，包括以下步骤：对待观测硅片中的失效点进行标记以形成标记区域；切割待观测硅片以获取包含标记区域的六面体；提供一单晶硅制成的载体硅片，切割载体硅片的上表面，以获取一凹槽；通过液体胶将六面体与标记区域相邻的侧面粘贴于凹槽内，并使六面体平行于凹槽的边缘；通过粘贴有六面体的载体硅片及六面体进行切割，以获得透射电镜样品。其技术方案的有益效果在于，实现提升制作透射电镜样品精度，提高透射电镜样品制作效率，解决了有技术中制作透射电镜样品易出现失效点打磨过度造成透射电镜样品制作失败的问题。

技术领域

本发明涉及芯片失效点分析领域，尤其涉及一种制作透射电镜样品的方法。

背景技术

集成电路在研制、生产和使用过程中失效不可避免，随着人们对产品质量和可靠性要求的不断提高，失效分析工作也显得越来越重要，通过芯片失效分析，可以帮助集成电路设计人员找到设计上的缺陷、工艺参数的不匹配或设计与操作中的不当等问题。同时失效分析是确定芯片失效机理的必要手段。失效分析为有效的故障诊断提供了必要的信息。为设计工程师不断改进或者修复芯片的设计，使之与设计规范更加吻合提供必要的反馈信息。失效分析可以评估不同测试向量的有效性，为生产测试提供必要的补充，为验证测试流程优化提供必要的信息基础。

目前，采用透射电镜观测芯片失效点是失效分析中的常用手段，通过透射电镜观测芯片失效点需要先制备包含失效点的透射电镜平面样品。现有技术中，制备特定失效点的透射电镜平面样品所采用的方法是：先在聚焦离子束机台内用离子束刻蚀的方法在需要观测的失效点附近做标记，然后用人工研磨的方法将硅片的一个截面研磨到距离失效点约1～2微米，最后竖着放到聚焦离子束机台中制备透射电镜样品，现有的制作方式存在着以下问题，首先用人工机械研磨的方法将硅片的一个截面研磨到距离失效点1～2微米很难把握，很容易将失效点磨过。失效点一般位于单晶硅衬底上的层次，因此在制备平面透射电镜样品过程中会将单晶硅切掉，由于样品未包含单晶硅，在透射电镜中进行观察的时候，无法通过单晶硅进行角度校正，无法保证电子束垂直于样品入射，得到的透射电镜图像就不能真实反应样品的真实形貌和尺寸。

发明内容

针对现有技术中在制作透射电镜样品过程中存在的上述问题，现提供一种旨在实现提升制作透射电镜样品精度，提高透射电镜样品制作效率，解决了有技术中制作透射电镜样品易出现失效点打磨过度造成透射电镜样品制作失败的制作透射电镜样品的方法。

具体技术方案如下：

一种制作透射电镜样品的方法，其特征在于，提供一待观测硅片，所述待观测硅片中包括一失效点，包括以下步骤：

步骤S1、对所述待观测硅片中的所述失效点进行标记以形成标记区域；

步骤S2、切割所述待观测硅片以获取包含所述标记区域的六面体；

步骤S3、提供一单晶硅制成的载体硅片，切割所述载体硅片的上表面，以获取一凹槽；

步骤S4、通过液体胶将所述六面体与所述标记区域相邻的侧面粘贴于所述凹槽内，并使所述六面体平行于所述凹槽的边缘；

步骤S5、通过粘贴有所述六面体的载体硅片及所述六面体进行切割，以获得透射电镜样品。

优选的，所述载体硅片的上表面上设置相互垂直并交叉的槽形成的图案。

优选的，所述凹槽为矩形槽，所述矩形槽的四边分别与所述槽的延伸方向平行。

优选的，所述凹槽的四边分别与所述凹槽的底部呈45度设置，所述凹槽底部与所述槽的延伸方向平行。

优选的，所述六面体的厚度大于所述凹槽的深度。

优选的，提供一聚焦离子束机台，通过所述聚焦离子束机台发射的聚焦离子束对所述载体硅片进行切割以形成所述凹槽。