[发明专利]一种制作透射电镜样品的方法有效
| 申请号： | 201611161151.0 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN106596609B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 郭伟;仝金雨;刘君芳;李桂花 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 透射 样品 方法 | ||
1.一种制作透射电镜样品的方法，其特征在于，提供一待观测硅片，所述待观测硅片中包括一失效点，包括以下步骤：
步骤S1、对所述待观测硅片中的所述失效点进行标记以形成标记区域；
步骤S2、切割所述待观测硅片以获取包含所述标记区域的六面体；
步骤S3、提供一单晶硅制成的载体硅片，切割所述载体硅片的上表面，以获取一凹槽；
步骤S4、通过液体胶将所述六面体与所述标记区域相邻的侧面粘贴于所述凹槽内，并使所述六面体平行于所述凹槽的边缘；
步骤S5、通过将粘贴有所述六面体的载体硅片及所述六面体进行切割，以获得透射电镜样品。
2.根据权利要求1所述的制作透射电镜样品的方法，其特征在于，所述载体硅片的上表面上设置相互垂直并交叉的槽形成的图案。
3.根据权利要求2所述的制作透射电镜样品的方法，其特征在于，所述凹槽为矩形槽，所述矩形槽的四边分别与所述槽的延伸方向平行。
4.根据权利要求2所述的制作透射电镜样品的方法，其特征在于，所述凹槽的四边分别与所述凹槽的底部呈45度设置，所述凹槽底部与所述槽的延伸方向平行。
5.根据权利要求1所述的制作透射电镜样品的方法，其特征在于，所述六面体的厚度大于所述凹槽的深度。
6.根据权利要求1所述的制作透射电镜样品的方法，其特征在于，提供一聚焦离子束机台，通过所述聚焦离子束机台发射的聚焦离子束对所述载体硅片进行切割以形成所述凹槽。
7.根据权利要求6所述的制作透射电镜样品的方法，其特征在于，所述聚焦离子束机台还用以对所述待观测硅片进行切割以获取包含所述标记区域的所述六面体。
8.根据权利要求1所述的制作透射电镜样品的方法，其特征在于，所述六面体贴合于所述凹槽的方法采用所述载体硅片的表面涂覆一层所述液体胶，所述六面粘贴于所述凹槽内。
9.根据权利要求1所述的制作透射电镜样品的方法，其特征在于，所述六面体贴合于所述凹槽的方法采用将所述六面体与所述凹槽贴合的一面涂覆一层所述液体胶，以粘贴于所述凹槽内。
10.根据权利要求1所述的制作透射电镜样品的方法，其特征在于，提供一电炉对粘贴于所述载体硅片以及所述六面体之间的所述液体胶进行烘烤固化。
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