[发明专利]一种无集成PD的100G EML TOSA光功率上报的提取方法

说明书

本发明公开了一种无集成PD的100G EML TOSA光功率上报的提取方法，该提取方法包括如下步骤：1)MCU端口电压反相放大，为EAM提供负偏置电压；2)EAM对LD激光器发出的激光进行电吸收调制，产生光电流；3)所述光电流串联电阻，并将其转化成电压信号；4)电压信号进行放大；5)放大后的电压信号传输给MCU，由MCU计算得到TxPower值并上报。该方法根据EAM电吸收调制LD激光产生的光电流，通过处理计算得到TxPower功率上报值，相对于以往的采用集成PD获TxPower功率上报值的方法，得到更大的电流信号，而且功率值相对于电流变化的灵敏度更高。

技术领域

本发明涉及一种100G EML TOSA光功率上报的提取方法，具体是一种无集成PD的100G EML TOSA光功率上报的提取方法，属于光通信技术领域。

背景技术

近年来，随着电子技术的高速发展，集成电路的集成度越来越高，电子器件的速度已经难以满足人们对器件开关速度的要求，于是，速度更快的光电子器件应运而生。光电子器件的发展趋势之一便是光电子集成器件，即像微电子一样实现高度集成化，将有源、无源、控制器件等及其附属电子线路与器件集成在同一半导体基片上，形成不可分割的固体快。

现有技术中存在的各种新型光电子器件层出不穷。其中，电吸收外调制激光器(EML激光器)发展尤为迅速，它将半导体电吸收调制器(EAM)和激光器(LD)集成在一起，再和热敏电阻、热电冷却器(TEC)、光电二极管(PD)等集成在一起，采用TOSA型式的封装，就可以构成100G EML TOSA。高度集成的封装在带来了低成本、低功耗、高可靠性等益处的同时，也同样降低了稳定性。在不影响功能和稳定性的前提下，考虑进一步的节约空间，降低功耗以及更方便的模块集成，部分100G EML TOSA产品在封装结构中去掉了专用于检测激光器出光功率的光电二极管PD，但是这给测试检测环节发射功率上报(TxPower)的检测带来很大的困难，无法利用光电二极管PD检测发光功率。

发明内容

针对上述现有技术存在的问题，本发明提供一种无集成PD的100G EML TOSA光功率上报的提取方法，以实现测试检测环节中TxPower的监测。

本发明通过以下技术方案来实现上述目的：一种无集成PD的100G EML TOSA光功率上报的提取方法，该提取方法包括如下步骤：

1)MCU端口电压反相放大，为EAM提供负偏置电压；

2)EAM对LD激光器发出的激光进行电吸收调制，产生光电流，光电流与激光光强成比例关系，而激光光强与LD激光器驱动电流是线性关系，所以光电流与LD激光器驱动电流也存在比例关系；

3)所述光电流串联电阻，并将其转化成电压信号；

4)电压信号进行放大；

5)放大后的电压信号传输给MCU，由MCU计算得到TxPower值并上报。

进一步，所述步骤1)中，MCU端口电压采用反相放大器放大。

进一步，所述步骤2)中，EAM调制器吸收LD激光器产生的光电流与LD激光器的驱动电流之间存在线性关系。

进一步，所述步骤3)中，光电流串联1Ω精密电阻，实现光电流与电压的等值转换。

进一步，所述步骤4)中，放大的增益倍数取决于MCU端口可以识别的电压范围。

进一步，所述步骤5)中：得到的光功率上报值P与光电流I_photo之间的对应关系为

P＝(k×1.24×1000×I_photo)/λ

其中k为常数，λ为LD激光器发出激光波长(nm)，I_photo为EAM产生的光电流(mA)，P为光功率上报值(mW)。