[发明专利]一种无集成PD的100G EML TOSA光功率上报的提取方法有效
| 申请号： | 201611159595.0 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN106712844B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 刘坤;邹晖;佘丽;林韬 | 申请（专利权）人： | 武汉电信器件有限公司 |
| 主分类号： | H04B10/079 | 分类号： | H04B10/079 |
| 代理公司： | 北京中北知识产权代理有限公司 11253 | 代理人： | 段秋玲 |
| 地址： | 430000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成 pd 100 gemltosa 功率 上报 提取 方法 | ||
1.一种无集成PD的100G EML TOSA光功率上报的提取方法，其特征在于：该提取方法包括如下步骤：
1)MCU端口电压反相放大，为EAM提供负偏置电压；
2)EAM对LD激光器发出的激光进行电吸收调制，产生光电流；
3)所述光电流串联电阻，并将其转化成电压信号；
4)电压信号进行放大；
5)放大后的电压信号传输给MCU，由MCU计算得到TxPower值并上报。
2.根据权利要求1所述的一种无集成PD的100G EML TOSA光功率上报的提取方法，其特征在于：所述步骤1)中，MCU端口电压采用反相放大器放大。
3.根据权利要求1所述的一种无集成PD的100G EML TOSA光功率上报的提取方法，其特征在于：所述步骤2)中，EAM调制器吸收LD激光器产生的光电流与LD激光器的驱动电流之间存在线性关系。
4.根据权利要求1所述的一种无集成PD的100G EML TOSA光功率上报的提取方法，其特征在于：所述步骤3)中，光电流串联1Ω精密电阻，实现光电流与电压的等值转换。
5.根据权利要求1所述的一种无集成PD的100G EML TOSA光功率上报的提取方法，其特征在于：所述步骤4)中，放大的增益倍数取决于所述MCU端口可以识别的电压范围。
6.根据权利要求1所述的一种无集成PD的100G EML TOSA光功率上报的提取方法，其特征在于：所述步骤5)中：得到的光功率上报值P与光电流Iphoto之间的对应关系为
P＝(k×1.24×1000×Iphoto)/λ
其中k为常数，λ为LD激光器发出激光波长(nm)，Iphoto为EAM产生的光电流(mA)，P为光功率上报值(mW)。
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