[发明专利]QLED及其制备方法

说明书

本发明提供了一种QLED，包括依次层叠设置的基板、阳极、氧化石墨烯层、量子点发光层、氧化石墨烯衍生物层和阴极，其中，所述氧化石墨烯衍生物层由氧化石墨烯衍生物制成，所述氧化石墨烯衍生物为氧化石墨烯中的羧基质子被金属元素部分或全部替换后的氧化石墨烯衍生物。所述QLED的制备方法，包括以下步骤：提供基板，在所述基板上沉积阳极，在所述阳极上沉积氧化石墨烯水溶液，形成氧化石墨烯层；在所述氧化石墨烯层上沉积量子点发光层，在所述量子点发光层上沉积氧化石墨烯衍生物，形成氧化石墨烯衍生物层；在所述氧化石墨烯衍生物层上沉积阴极。

技术领域

本发明属于平板显示技术领域，尤其涉及一种QLED及其制备方法。

背景技术

半导体量子点具有尺寸可调谐的光电子性质，被广泛应用于发光二极管、太阳能电池和生物荧光标记领域。经过二十多年的发展，量子点合成技术取得了显著的成绩，可以合成得到各种高质量的量子点纳米材料，其光致发光效率可以达到85％以上。由于量子点具有尺寸可调节的发光、发光线宽窄、光致发光效率高和热稳定性等特点，以量子点为发光层的量子点发光二极管(QLED)成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点，近年来在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。经过多年的发展，QLED技术获得了巨大的发展。从公开报道的文献资料来看，目前最高的红色和绿色QLED的外量子效率已经超过或者接近20％，表明红绿QLED的内量子效率实际上已经接近100％的极限。然而，作为高性能全彩显示不可或缺的蓝色QLED，目前不论是在电光转换效率、还是在使用寿命上，都远低于红绿QLED，从而限制了QLED在全彩显示方面的应用。

发明内容

本发明的目的在于提供一种QLED及其制备方法，旨在解决现有全彩显示QLED中，由于蓝色QLED电光转换效率不佳，影响全彩显示QLED器件效率的问题。

本发明是这样实现的，一种QLED，包括依次层叠设置的基板、阳极、氧化石墨烯层、量子点发光层、氧化石墨烯衍生物层和阴极，其中，所述氧化石墨烯衍生物层由氧化石墨烯衍生物制成，所述氧化石墨烯衍生物为氧化石墨烯中的羧基质子被金属元素部分或全部替换后的氧化石墨烯衍生物。

以及，一种QLED的制备方法，包括以下步骤：

提供基板，在所述基板上沉积阳极，在所述阳极上沉积氧化石墨烯水溶液，形成氧化石墨烯层；

在所述氧化石墨烯层上沉积量子点发光层，在所述量子点发光层上沉积氧化石墨烯衍生物，形成氧化石墨烯衍生物层；

在所述氧化石墨烯衍生物层上沉积阴极。

本发明提供的QLED，采用同一个体系的氧化石墨烯材料来同时提高电子传输和空穴传输性能，从而提高QLED器件的光电转化效率，特别是提高蓝光QLED器件的光电转化效率。具体的，所述氧化石墨烯层中的氧化石墨烯可以促进空穴的传输，而所述氧化石墨烯衍生物层中的氧化石墨烯衍生物，由于其边缘的羧基质子被金属元素替换，形成偶极矩，改变了氧化石墨烯衍生物的电子结构，进而赋予所述氧化石墨烯衍生物层优良的电子传输性能。且通过在一个QLED器件中采用同一个体系的氧化石墨烯材料同时提高空穴传输和电子传输性能，可以减少界面对QLED器件的影响，提高QLED器件性能。

本发明提供的QLED的制备方法，所述氧化石墨烯层、所述氧化石墨烯衍生物层均可以采用溶液法制备获得，方法操作简单，成熟可控，易于实现产业化。

附图说明

图1是本发明实施例提供的QLED结构示意图；

图2是本发明实施例提供的QLED能带示意图。

具体实施方式