[发明专利]QLED及其制备方法

权利要求书

1.一种QLED，其特征在于，包括依次层叠设置的基板、阳极、氧化石墨烯层、量子点发光层、氧化石墨烯衍生物层和阴极，其中，所述氧化石墨烯衍生物层的材料为氧化石墨烯衍生物，且所述氧化石墨烯衍生物包括GO-Cs、GO-Rb中的至少一种。

2.如权利要求1所述的QLED，其特征在于，所述氧化石墨烯层的厚度为30-50nm。

3.如权利要求1所述的QLED，其特征在于，所述氧化石墨烯衍生物层的厚度为30-60nm。

4.如权利要求1-3任一所述的QLED，其特征在于，还包括空穴传输层、电子传输层中的至少一层。

5.如权利要求1所述的QLED，其特征在于，所述氧化石墨烯层与所述量子点发光层之间还包括空穴传输层，所述量子点发光层与所述氧化石墨烯衍生物层之间还包括电子传输层。

6.一种QLED的制备方法，包括以下步骤：

提供基板，在所述基板上沉积阳极，在所述阳极上沉积氧化石墨烯水溶液，形成氧化石墨烯层；

在所述氧化石墨烯层上沉积量子点发光层，在所述量子点发光层上沉积氧化石墨烯衍生物，形成氧化石墨烯衍生物层，所述氧化石墨烯衍生物包括GO-Cs、GO-Rb中的至少一种；

在所述氧化石墨烯衍生物层上沉积阴极。

7.如权利要求6所述的QLED的制备方法，其特征在于，所述氧化石墨烯衍生物的制备方法为：

提供氧化石墨烯水溶液，在所述氧化石墨烯水溶液中加入Cs₂CO₃和/或Rb₂CO₃进行加热处理，得到氧化石墨烯中羧基质子被Cs和/或Rb取代的氧化石墨烯衍生物GO-Cs和/或GO-Rb。

8.如权利要求7所述的QLED的制备方法，其特征在于，所述加热处理的温度为100-400℃，加热时间为0.5-3h。

9.如权利要求6-8任一所述的QLED的制备方法，其特征在于，还包括制备电子传输层、空穴传输层中的至少一层。