[发明专利]TFT背板及其制作方法有效
| 申请号: | 201611147758.3 | 申请日: | 2016-12-13 |
| 公开(公告)号: | CN106653768B | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
| 发明(设计)人: | 陈哲 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/82 |
| 代理公司: | 44265 深圳市德力知识产权代理事务所 | 代理人: | 林才桂;闻盼盼 |
| 地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | tft 背板 及其 制作方法 | ||
本发明提供一种TFT背板及其制作方法。本发明的TFT背板的制作方法,利用具有三种光线穿透率的半色调掩膜板对有机光阻层进行黄光制程,通过一道黄光工序即可实现三种曝光效果,从而同时形成像素定义层、像素定义层上的开口、及支撑层,与现有技术相比,本发明节约了一道掩膜板与一道黄光工序,可有效节省治具成本和生产成本;同时,在结构上所述支撑层与像素定义层为一个整体,可避免支撑层脱落,有效提高显示器的显示品质。本发明的TFT背板,像素定义层与支撑层在同一个制程中制得,制程简单,生产成本低,且由于像素定义层与支撑层为一个整体,可避免出现支撑层脱落的问题,从而有效提高显示器的显示品质。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种TFT背板及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器,也称为有机电致发光显示器,是一种新兴的平板显示装置,由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快,而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点,因而具有广阔的应用前景。
OLED通常包括:基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层及设于电子注入层上的阴极。OLED的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光。具体的,OLED通常采用ITO(氧化铟锡)电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极,在一定电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层,电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层,并在发光层中相遇,形成激子并使发光分子激发,后者经过辐射弛豫而发出可见光。
OLED依驱动方式可分为被动式矩阵驱动OLED(Passive Matrix OLED,PMOLED)和主动式矩阵驱动OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)两种。其中,PMOLED是当数据写入时发光,数据未写入时不发光,这种驱动方式结构简单、成本较低、较容易设计,主要适用于中小尺寸的显示器。AMOLED与PMOLED最大的差异在于:每一个像素都有一个电容存储数据,让每一像素皆维持在发光状态。由于AMOLED的耗电量明显小于PMOLED,加上其驱动方式适合发展大尺寸与高解析度的显示器,使得AMOLED成为未来发展的主要方向。目前公认的能应用于AMOLED背板驱动的主流技术有两个:氧化物TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)背板和低温多晶硅TFT背板,这两种背板技术的主要区别在于TFT的设计与结构差异,其中低温多晶硅TFT的制程工序较多,工艺也较复杂,使得氧化物TFT背板成为目前主流的发展方向。
图1为现有的氧化物TFT背板的结构示意图,如图1所示,所述氧化物TFT背板包括从下到上依次层叠设置的衬底基板100、栅极110、栅极绝缘层200、氧化物半导体层300、刻蚀阻挡层400、源极510和漏极520、钝化层450、平坦层500、阳极600、像素定义层800及支撑层900;其中,所述支撑层900包括间隔设置的数个支撑物910,所述支撑物910为具有一定高度的柱体。
上述氧化物TFT背板的制程中,所述像素定义层800与支撑层900需要各自使用一道掩膜板并且各自通过一道黄光工序来制作,因此生产成本较高,制程时间较长;并且,由于所述支撑层900与像素定义层800是分开制作的,因此所述支撑层900与像素定义层800之间的附着性较差,在后制程中所述支撑层900极易受到损伤而脱落,这样既不利于支撑层900的保护,也会因为支撑层900脱落到显示区造成显示器的显示品质下降。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT背板的制作方法,能够有效节省治具成本和生产成本,同时可避免支撑层脱落,有效提高显示器的显示品质。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





