[发明专利]TFT背板及其制作方法

权利要求书

1.一种TFT背板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成栅极(11)，在所述栅极(11)与衬底基板(10)上形成栅极绝缘层(20)；

步骤2、在所述栅极绝缘层(20)上形成对应于所述栅极(11)上方的有源层(30)，在所述有源层(30)与栅极绝缘层(20)上形成刻蚀阻挡层(40)，在所述刻蚀阻挡层(40)上形成分别对应于所述有源层(30)两端的第一通孔(41)和第二通孔(42)；

在所述刻蚀阻挡层(40)上形成源极(51)和漏极(52)，所述源极(51)和漏极(52)分别经由所述第一通孔(41)和第二通孔(42)与所述有源层(30)的两端相接触；

步骤3、在所述源极(51)、漏极(52)与刻蚀阻挡层(40)上形成钝化层(45)，在所述钝化层(45)上形成平坦层(50)；

在所述钝化层(45)与平坦层(50)上形成对应于所述漏极(52)上方的第三通孔(53)；

在所述平坦层(50)上形成阳极(60)，所述阳极(60)经由所述第三通孔(53)与所述漏极(52)相接触；

步骤4、在所述阳极(60)与平坦层(50)上形成一有机光阻层(70)，采用一半色调掩膜板(75)对所述有机光阻层(70)进行曝光、显影，同时得到像素定义层(80)与设于所述像素定义层(80)上的支撑层(90)，所述像素定义层(80)上设有对应于所述阳极(60)上方的开口(85)，所述支撑层(90)包括间隔设置的数个支撑物(91)；

所述阳极(60)包括两透明导电金属氧化物层与夹设于两透明导电金属氧化物层之间的金属层；

所述步骤4中，所述半色调掩膜板(75)包括对应于所述开口(85)的全透射区域(751)、对应于所述支撑层(90)的非透射区域(752)、以及对应于所述像素定义层(80)上除所述开口(85)以及被所述支撑层(90)覆盖的区域以外的其它区域的半透射区域(753)；

所述全透射区域(751)的光线穿透率为100％，所述半透射区域(753)的光线穿透率为50％，所述非透射区域(752)的光线穿透率为0％；

在所述开口(85)内通过蒸镀制程形成OLED发光层及阴极，所述支撑层(90)用于在该蒸镀制程中支撑蒸镀用掩膜板。

2.如权利要求1所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述有源层(30)的材料为氧化物半导体。

3.如权利要求2所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体为铟镓锌氧化物。

4.如权利要求1所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述支撑物(91)的形状为柱状。