[发明专利]一种纳米银线光阻剂及其在触摸屏器件制造中的应用

权利要求书

1.一种纳米银线光阻剂，其特征是，由重量份计的以下原料制备而成：纳米银线1-60份、分散剂1-20份、分散树脂1-10份、显影树脂3-40份、光固化树脂4-40份、光引发剂0.25-5份、助剂0.1-1份和有机溶剂3000-80000份；

所述分散树脂为具有下述通式(1)表示的结构单元的化合物：

所述通式(1)中，n＝2-10000；R表示H原子、Y表示Z表示含有6-14 个碳原子的直链、脂肪环、芳环或芳杂环分子中的一种。

2.根据权利要求1所述的纳米银线光阻剂，其特征是，所述纳米银线的平均线径宽度D₅₀为10-50nm，纳米银线的平均长度为3-40um。

3.根据权利要求1所述的纳米银线光阻剂，其特征是，所述Y中的X表示含有烷基、环烷基或芳基取代基的丙烯酸类低聚物共聚物。

4.根据权利要求3所述的纳米银线光阻剂，其特征是，所述分散树脂是采用以下步骤制备而成：

1)低聚物合成：由2-丙烯酸-2-羟基-3-苯氧基丙酯与2-4种含有烷基、环烷基或芳基取代基的丙烯酸单体在自由基引发剂的作用下，加入到含有链转移剂的溶剂中，在氮气气氛下，通过自由基反应合成具有所述Y的共聚物中间体；在该反应中，2-丙烯酸-2-羟基-3-苯氧基丙酯与其他各单体的摩尔比均为1.3：1；

2)含异氰酸端基的预聚物的合成：步骤1)的反应通过HPLC监控，在2-丙烯酸-2-羟基-3-苯氧基丙酯的浓度低于5％之后，将含有所述Y的共聚物中间体在氮气氛围下，采用计量泵滴加到含所述Z的溶液之中，并添加催化剂得到通式(2)，该反应中含有Z的化合物与步骤1)中的2-丙烯酸-2-羟基-3-苯氧基丙酯的摩尔比为0.9：1，通式(2)的结构式如下：

3)产物合成：将下述通式(3)的化合物加热溶解回流之后，与所述通式(2)在催化剂作用下反应，即可得到所述通式(1)；该反应中，通式(3)与所述Y的质量比为0.8：1，通式(3)的结构式如下：

所述通式(3)中的R为H原子、

5.一种根据权利要求1-4中任意一项所述的纳米银线光阻剂制造触摸屏器件的方法，其特征是，顺次包括以下步骤：

1)基片处理：通过真空附着固定，使基片水平铺展在操作台上；

2)制作纳米银线导电“搭桥”图型层：依次按照以下步骤进行处理：

2.1)涂布：采用slit方式在所述基片上涂布第一层所述纳米银线光阻剂，真空-0.1MPa；

2.2)前烘：涂布后的基片于80-120℃下烘烤2min；

2.3)曝光：加掩膜曝光在基片上形成一层厚度为0.08-0.4um矩形透明导电“搭桥”图型，能量100-300mj/cm²；

2.4)显影：在0.38％TMAH中显影1min；定义矩透形明导电“搭桥”图型的宽为x方向，长为y方向；

2.5)后烘：120-240℃下烘烤30min；

3)制作绝缘光阻“搭桥”图型层，在步骤2)的导电“搭桥”图型层上采用slit方式涂布第一层OC光阻剂，然后依次进行前烘、曝光、显影和后烘，处理方法同上述步骤2)；最后形成一层厚度为1-1.2um的透明绝缘矩形图型，并且在x方向上绝缘光阻“搭桥”图型层完全遮盖导电“搭桥”图型层，在y方向上导电“搭桥”图型层的两端完全从绝缘光阻“搭桥”图型层探出，真空-0.1MPa；

4)制作纳米银线光阻“菱形”电极层：在步骤3)的基片上涂布第二层所述纳米银线光阻剂，再依次经过前烘、曝光、显影、后烘步骤形成厚度为0.04-0.4um的“菱形”电极层，使在x方向上经过绝缘光阻“搭桥”顶部的“菱形”电极层连续导通，在y方向上经过绝缘光阻“搭桥”顶部的“菱形”电极层被光刻显影隔断；所述前烘、曝光、显影和后烘的处理方法同上述步骤2)；

5)制作封装保护层：在步骤4)的基片上涂布第二层所述OC光阻剂，形成一层厚度为0.3-1um的透明耐热耐候保护层，并且在边缘可留出连接IC的FPC排线位置，真空-0.1MPa；再依次经过前烘、曝光、显影和后烘，上述处理方法同步骤2)。