[发明专利]一种速生无刺槐组培苗的生根培养方法

权利要求书

1.一种速生无刺槐组培苗的生根培养方法，其特征在于，包括：

(1)实验材料的选择：

选取继代周期为30～40天，生长健壮、叶片舒展，株高为3～5cm的速生无刺槐组培苗为实验材料，切除基部愈伤及基部叶片，保留1cm的顶芽、茎段及芽团；

(2)具体实验步骤：

(2.1)无菌外植体的获取；

(2.2)速生无刺槐继代增殖步骤；

(2.3)速生无刺槐生根培养步骤；

(2.4)速生无刺槐继代培养及生根培养条件；

(2.5)速生无刺槐组培苗的炼苗与移栽；

步骤(2.3)速生无刺槐生根培养步骤，

(2.3.1)选取继代培养的速生无刺槐组培苗，选取标准为高度1.5～3cm、健壮、叶片舒展的单株组培苗；

(2.3.2)将选取的继代培养的速生无刺槐组培苗接种至生根培养基上，

(2.3.3)接种30天后统计生根率，生根率＝生根株数/接种株数×100％；

筛选出的生根配方为：1/2MS+0.01mg/L6-BA+0.2mg/L NAA+0.2mg/L IBA+20g/L土豆+20g/L蔗糖+5～7g/L卡拉胶；

其中，速生无刺槐继代培养配方为：改良DKW+0.1mg/L 6-BA+0.2～0.5mg/L KT+0.1mg/L NAA+30g/L土豆+30g/L蔗糖+5～7g/L卡拉胶，采用该配方继代培养的速生无刺槐的最大增殖比例为4.1，且植株长高明显，能用于生根培养的单株苗多；

改良DKW培养基的配方为：K₂SO₄ 0mg/l，KNO₃1630～1990mg/l，NH₄NO₃0mg/l，(NH₄)₂SO₄1050～1280mg/l，MgSO₄·7H₂O 700～780mg/l，KH₂PO₄250～280mg/l，其他DKW培养基成分保持不变。

2.根据权利要求1所述的一种速生无刺槐组培苗的生根培养方法，其特征在于：步骤(2.4)速生无刺槐继代培养及生根培养条件，

速生无刺槐组培苗继代及生根培养的条件为：光培养与暗培养交替进行，光培养条件为连续进行12h光照，光照强度为3000lx，培养温度为25℃；暗培养条件为连续进行12h，温度为20℃。

3.根据权利要求1所述的一种速生无刺槐组培苗的生根培养方法，其特征在于：步骤(2.5)速生无刺槐组培苗的炼苗与移栽，

(2.5.1)生根培养30～45天的生根苗进温室炼苗移栽，选取叶色正常、无枯叶黄叶的健壮植株进行移栽；

(2.5.2)将速生无刺槐生根苗根系上的培养基洗净，种植在含蛭石、珍珠岩、园土、草炭、河沙基质的营养杯或穴盘中，湿度控制在75～80％，待新根与新叶发出后逐渐降低湿度，培养45～60天，即得速生无刺槐容器苗，其大棚炼苗成活率为90％以上；

(2.5.3)上述所述基质配方包括上下两层，其中上层1/3容量体积为蛭石：珍珠岩＝1:1；下层2/3容量体积为园土：草炭：河沙：珍珠岩＝2:1:1:1，该基质配方的特点是上层基质疏松透气、保水保湿，利于炼苗前期新根及新叶的发出；下层基质营养丰富，利于后期组培苗营养生长，且根系与基质易于成团、便于容器苗运输。