[发明专利]用于除去有机硅树脂的组合物、使用其薄化基材和制造半导体封装体的方法及使用其的系统有效

专利信息
申请号: 201611111478.7 申请日: 2016-12-02
公开(公告)号: CN107034028B 公开(公告)日: 2021-05-25
发明(设计)人: 姜仁求;金圣培;崔百洵;金秀莲;洪荣泽;金相泰;李京浩;洪亨杓;金成民 申请(专利权)人: 三星电子株式会社;东友精细化工有限公司
主分类号: C11D1/62 分类号: C11D1/62;C11D3/28;C11D3/32;H01L21/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 金拟粲
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 除去 有机 硅树脂 组合 使用 基材 制造 半导体 封装 方法 系统
【说明书】:

本文中公开用于除去有机硅树脂的组合物、使用其薄化基材和制造半导体封装体的方法及使用其的系统。更特别地,本文中公开的是用于除去有机硅树脂的组合物,所述组合物包括杂环溶剂和由式(R)4N+F表示的氟化烷基铵盐,其中R为C1‑C4直链烷基。通过使用所述组合物可有效地除去有机硅树脂,因为所述组合物对于在半导体基材的背面研磨、背面电极形成等工艺中残留在半导体基材上的有机硅树脂呈现优异的分解速率。

对相关申请的交叉引用

本申请要求在韩国知识产权局于2015年12月4日提交的韩国专利申请No.10-2015-0172656的权益,其公开内容全部引入本文中作为参考。

技术领域

本公开内容涉及用于除去有机硅树脂的组合物和使用其薄化(减薄,修磨)基材的方法,和更特别地,涉及利用它可有效地除去残留在半导体基材上的有机硅树脂的用于除去有机硅树脂的组合物、和使用其薄化基材的方法。

背景技术

在半导体器件的制造工艺中,在半导体基材的表面上形成电子电路之后,在一些情况中可进行薄化工艺以减小半导体基材的厚度。在这些情况中,为了保护半导体基材的电路表面和充分地固定半导体基材,通过使用有机硅树脂将半导体基材附着到载体基材。在薄化工艺完成之后,当将载体基材与半导体基材分离时,有机硅树脂可残留在半导体基材的活性表面上。存在对于用于有效地除去残余有机硅树脂的组合物和方法的需要以及使用所述组合物薄化基材的方法的需要。

发明内容

本公开内容提供用于除去有机硅树脂的组合物,利用它可有效地除去残留在半导体基材上的有机硅树脂。

本公开内容还提供薄化基材的方法,利用它可有效地除去残留在半导体基材上的有机硅树脂。

本公开内容还提供使用用于除去有机硅树脂的组合物之一制造半导体封装体(封装,包装体,package)的方法。

根据本公开内容的一个方面,提供用于除去有机硅树脂的组合物,所述组合物包括杂环溶剂和由式(1)表示的氟化烷基铵盐:

(R)4N+F- 式(1)

其中R为C1-C4直链烷基。

根据本公开内容的另一方面,提供薄化基材的方法,所述方法包括:通过使用有机硅粘合剂将载体基材附着到意图薄化的靶(目标)基材;薄化靶基材;将载体基材和靶基材彼此分离;和通过使用用于除去有机硅树脂的组合物清洁靶基材以除去残留在靶基材上的有机硅粘合剂。这里,用于除去有机硅树脂的组合物包括含氮杂环溶剂和含氟化合物。

根据本公开内容的再一方面,提供制造半导体封装体的方法,所述方法包括:提供器件基材,其包括半导体基材、形成于半导体基材的活性表面上的半导体器件、和电连接到半导体器件的贯通电极,贯通电极朝着半导体基材的与活性表面相反的表面延伸;经由有机硅粘合剂的中间层将载体基材结合到器件基材的活性表面;薄化器件基材的与其活性表面相反的表面使得暴露贯通电极;将器件基材从载体基材分离;和使器件基材与用于除去有机硅树脂的组合物接触以除去残留在器件基材的活性表面上的有机硅粘合剂的残余物,其中用于除去有机硅树脂的组合物包括杂环溶剂和由式(1)表示的氟化烷基铵盐。

根据本公开内容的还一方面,提供用于除去有机硅树脂的组合物,其可包括:约70重量%-约99.9重量%的含氮杂环溶剂;和约0.1重量%-约30重量%的氟化烷基铵盐,基于组合物的总重量。

根据本公开内容的又一方面,提供用于将靶基材暂时结合到载体基材以促进靶基材的加工的系统,所述系统包括:载体基材;配置成将载体基材结合到靶基材的有机硅粘合剂;配置成将载体基材和靶基材相互分离使得有机硅粘合剂的残余物残留在靶基材上的分离装置;和配置成除去残余物的组合物,其中组合物包括杂环溶剂和由式(1)表示的氟化烷基铵盐:

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