[发明专利]用于除去有机硅树脂的组合物、使用其薄化基材和制造半导体封装体的方法及使用其的系统

权利要求书

1.用于除去有机硅树脂的组合物，所述组合物包括：

杂环溶剂；和

由式(1)表示的氟化烷基铵盐：

(R)₄N⁺F^- 式(1)

其中R为C1-C4直链烷基，

其中氟化烷基铵盐以基于所述组合物的总重量的1重量％-20重量％的量存在，和

其中杂环溶剂包括吡啶溶剂、吗啉溶剂、哌嗪溶剂、脲溶剂、唑烷酮溶剂、或吡咯烷酮溶剂，由式(1)表示的化合物包括氟化四甲基铵、氟化四乙基铵、氟化四丙基铵、或氟化四丁基铵，和其中排除所述组合物包括氟化四丁基铵与吗啉溶剂或唑烷酮溶剂的组合的情况。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中杂环溶剂以基于所述组合物的总重量的80重量％-99重量％的量存在。

3.用于除去有机硅树脂的组合物，所述组合物包括：

杂环溶剂；和

由式(1)表示的氟化烷基铵盐：

(R)₄N⁺F^- 式(1)

其中R为C1-C4直链烷基；

其中氟化烷基铵盐以基于所述组合物的总重量的1重量％-20重量％的量存在，

其中杂环溶剂具有4-8元环；

其中杂环溶剂为选自如下的至少一种：含氮杂环溶剂、含氧杂环溶剂、及其组合；

其中杂环溶剂以基于所述组合物的总重量的80重量％-99重量％的量存在，和

其中杂环溶剂包括吡啶溶剂、吗啉溶剂、哌嗪溶剂、脲溶剂、唑烷酮溶剂、或吡咯烷酮溶剂，由式(1)表示的化合物包括氟化四甲基铵、氟化四乙基铵、氟化四丙基铵、或氟化四丁基铵，和其中排除所述组合物包括氟化四丁基铵与吗啉溶剂或唑烷酮溶剂的组合的情况。

4.根据权利要求3所述的组合物，其中杂环溶剂以90重量％-99重量％的量存在。

5.薄化基材的方法，所述方法包括：

使用有机硅粘合剂将载体基材附着到靶基材；

薄化靶基材；

将载体基材和靶基材彼此分离使得有机硅粘合剂的部分残留在靶基材上；和

通过使用组合物清洁靶基材以除去残留在靶基材上的有机硅粘合剂的所述部分，

其中组合物包括杂环溶剂和含氟化合物，

其中所述组合物为根据权利要求1-4任一项所述的用于除去有机硅树脂的组合物。

6.根据权利要求5所述的方法，其中有机硅粘合剂包括有机硅脱模层和有机硅粘着层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中有机硅脱模层和有机硅粘着层堆叠在靶基材和载体基材之间，和

有机硅脱模层直接接触靶基材且不直接接触载体基材。

8.根据权利要求7所述的方法，其中有机硅粘着层直接接触载体基材。

9.根据权利要求6所述的方法，其中将载体基材附着到靶基材包括：

通过化学气相沉积形成有机硅脱模层；

在有机硅脱模层上形成有机硅粘着层；

经由有机硅粘合剂将靶基材结合到载体基材；和

加热有机硅粘合剂。

10.制造半导体封装体的方法，所述方法包括：

提供器件基材，其包括：半导体基材；形成于半导体基材的活性表面上的半导体器件；和电连接到半导体器件的贯通电极，贯通电极朝着半导体基材的与活性表面相反的表面延伸；

经由有机硅粘合剂将载体基材结合到器件基材的活性表面；

薄化器件基材以由此在器件基材的与其活性表面相反的表面处暴露贯通电极；

将器件基材从载体基材分离使得有机硅粘合剂的残余物残留在器件基材的活性表面上；和

使有机硅粘合剂的残余物与组合物接触以除去残余物，

其中所述组合物为根据权利要求1-4任一项所述的用于除去有机硅树脂的组合物。