[发明专利]检查装置在审
申请号: | 201611100049.X | 申请日: | 2016-12-02 |
公开(公告)号: | CN106970082A | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 伊藤优作;久木田瑠璃子;矢野紘英;谷本宙一 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | G01N21/88 | 分类号: | G01N21/88;G01N21/95;G01N21/47;G01N21/01 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 检查 装置 | ||
技术领域
本发明涉及用于对半导体晶片等被检查物进行检查的检查装置。
背景技术
在以IC、LSI等为代表的半导体器件的制造工序中,多数情况下使用所谓的外观检查装置对半导体晶片的正面背面等进行检查(例如,参照专利文献1)。根据该外观检查装置,能够通过对半导体晶片的正面背面等进行拍摄而对混入到电路图案内的异物、因磨削/研磨等处理而产生的划痕等缺陷进行检测。
但是,在上述的外观检查装置中,由于对半导体晶片的正面背面等进行二维拍摄而对缺陷进行检测,因此无法得到与半导体晶片的厚度方向(高度方向)相关的缺陷的详细的信息。为了解决该问题,近年来提出了如下的三维测量装置:对于对象的区域进行多次拍摄而得到三维的信息(例如,参照专利文献2)。
专利文献1:日本特开平10-185535号公报
专利文献2:日本特开2015-38438号公报
上述的三维测量装置能够详细地获取比较窄的区域的信息,但另一方面不适合概略性地对较宽的区域进行检查的用途。因此,通常在使用该三维测量装置对半导体晶片等被检查物进行检查时,利用外观检查装置预先确认缺陷的分布等。
发明内容
另外,在这样的检查方法中,由于在外观检查装置的检查之后,将被检查物搬入三维测量装置而实施详细的检查,因此存在被检查物的检查所需要的时间容易变长的问题。本发明是鉴于该问题点而完成的,其目的在于提供一种检查装置,能够缩短被检查物的检查所需要的时间。
根据本发明的一个方式,提供一种检查装置,其对板状的被检查物进行检查,其特征在于,该检查装置具有:被检查物保持单元,其具有对该被检查物进行保持的保持面;缺陷检测单元,其根据照射到该被检查物的面上的激光光线的散射光而对该面内的缺陷进行检测;以及三维测量单元,其对包含有该缺陷检测单元所检测到的该缺陷在内的区域进行三维拍摄而进行再评价。
根据本发明的另一个方式,提供一种检查装置,其对板状的被检查物进行检查,其特征在于,该检查装置具有:被检查物保持单元,其具有对该被检查物进行保持的保持面;缺陷检测单元,其在明视野或暗视野下对该被检查物的面进行拍摄而对该面内的缺陷进行检测;以及三维测量单元,其对包含有该缺陷检测单元所检测到的该缺陷在内的区域进行三维拍摄而进行再评价。
在上述的本发明的一个方式中,优选该缺陷检测单元在该散射光的光强度超过预先设定的阈值的情况下判定为存在该缺陷。
由于本发明的一个方式的检查装置一并具有:缺陷检测单元,其对被检查物的面内的缺陷进行检测;三维测量单元,其对包含有缺陷检测单元所检测到的缺陷在内的区域进行三维拍摄而进行再评价,因此该检查装置能够在对被检查物的面内的缺陷进行检测之后,立刻对包含缺陷在内的区域进行三维拍摄而进行再评价。由此,不需要搬送等工序,能够缩短被检查物的检查所需要的时间。
附图说明
图1是检查装置的主要示意性示出正面侧的立体图。
图2是检查装置主要示意性示出背面侧的立体图。
图3是示意性示出缺陷检测组件的结构例的图。
图4是示意性示出三维测量组件的结构例的图。
图5是示意性示出干涉组件的结构例的图。
图6的(A)是示意性示出缺陷检测工序的俯视图,图6的(B)是示出缺陷检测组件所测量的光强度的例子的图表。
图7的(A)是示意性示出再评价工序的侧视图,图7的(B)是示出所形成的三维图像的例子的图。
图8是示意性示出第1变形例的缺陷检测组件的图。
图9是变形例的检查装置的主要示意性示出背面侧的立体图。
标号说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611100049.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种石英坩埚成品的裂纹缺陷检验方法
- 下一篇:缺陷检查仪