[发明专利]用于热处理腔室的边缘环

说明书

本发明的实施例提供具有增加温度均匀度的用于支撑基板的边缘环。更特定言之，本发明的实施例提供边缘环，该边缘环具有形成于边缘环的能量接收表面上的一或更多个表面面积增加结构。

本申请是申请日为2012年2月20日、申请号为201280009401.2、发明名称为“用于热处理腔室的边缘环”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明的实施例大体而言关于用以于基板上制造器件的方法及设备。更特定言之，本发明的实施例提供基板支撑环以于处理腔室中绕边缘区域支撑基板。

背景技术

于基板(如，半导体晶圆及显示器面板)的处理中，当合适的工艺条件维持于处理腔室中时，基板放置于处理腔室中的支撑件上。举例而言，基板可以受控加热循环而加热以受到热处理。于热处理期间，当设置于基板上方或下方的辐射能量源朝基板发射热能量时，基板可由绕边缘区域的支撑结构(如，边缘环)而支撑。

图1A概要地图示使用于热处理腔室中的传统边缘环101的截面图。边缘环101具有一内径，该内径稍小于待处理的基板102的外径。于处理期间，基板102设置于边缘环101的支撑表面105上，使得边缘环101通过外缘区域104而接触并支撑基板102。于基板102及边缘环101下方的热能量103可导向基板102以加热基板102。

然而，图示于图1A中的传统边缘环101有时绕基板102上的外缘区域104而造成温度不均匀。当基板102以急速加热时，温度不均匀变得更明显。图1B概要地图示于加热期间绕基板的外缘区域104的温度变化。于图1B中，x轴表示出由0至360度表示的基板的外缘中的方位角位置。y轴表示出相对于平均温度的温度变化(以摄氏温度为单位)。每一曲线110、111代表于快速加热期间对基板的量测。如图1B中所展示，绕基板的边缘区域的温度变化可高达8摄氏度。

因此，需要于处理腔室中用以绕边缘区域支撑基板的改良基板支撑件。

发明内容

本发明的实施例大体而言提供用以处理基板的设备及方法。更特定言之，本发明的实施例提供用以于处理腔室中支撑基板的边缘环。

本发明的一个实施例提供一种用以于处理腔室中支撑基板的边缘环。该边缘环包括：环形主体，该环形主体由内缘、外缘、上侧及下侧所界定，其中该内缘及该外缘绕中心轴而同心。该边缘环还包括唇部，该唇部由该环形主体的该内缘向内径向延伸。该唇部的上表面的至少一部分经构成以绕基板的外缘而支撑该基板，使得该基板实质平行于垂直该中心轴的主要平面。该边缘环还包括一或更多个表面面积增加结构，该一或更多个表面面积增加结构形成于该环形主体的该上侧或下侧的至少一侧上。

附图说明

依本发明于上所列举的特征的方式可详细地了解，本发明的更特定的说明(简短摘要于发明内容中)可参照实施例(所述实施例的一部分图示于附图中)而获得。然而，应注意，附图仅说明本发明的典型实施例，且因此附图不被视为对本发明范围的限制，因本发明可允许其他等效实施例。

图1A为传统边缘环的示意截面图。

图1B图示当由传统边缘环支撑时，于加热期间基板上的温度变化。

图2A是依据本发明的一个实施例的边缘环的截面图。

图2B为图2A的边缘环的部分截面透视图。

图2C为展示图2A的边缘环的底侧的部分截面透视图。

图2D为图2A的边缘环的上视图。

图2E为图2A的边缘环的下视图。

图3A至图3G示意性地图示依据本发明实施例的边缘环。

图4A至图4D示意性地图示依据本发明实施例具有上能量接收表面的边缘环。