[发明专利]在基板上形成鳍片的方法

说明书

一种在基板上形成鳍片的方法被提出。此方法包括沉积第一鳍片间隔与第二鳍片间隔在具有一硬遮罩的基板的多个位置上，其中第一鳍片间隔包括所需第一鳍片间隔与虚设第一鳍片间隔，且第二鳍片间隔包括所需第二鳍片间隔与虚设第二鳍片间隔。此方法还包括在第一鳍片间隔与第二鳍片间隔之下的基板上形成鳍片。鳍片包括多个虚设鳍片与多个所需鳍片。此方法还包括个别地移除虚设第一鳍片间隔，而不移除虚设第二鳍片间隔，移除虚设第二鳍片间隔，以及移除虚设鳍片。

技术领域

本揭露是关于一种半导体装置的制造方法，且特别是关于一种在一基板上形成鳍片的方法。

背景技术

在本揭露中所述的技术是关于一种半导体装置，且特别是关于制造用于鳍型场效晶体管半导体结构的鳍片。

对于鳍型场效晶体管半导体技术的改善使得能够持续改进集成电路的速度、性能、密度和每单位功能的成本。改善制造技术的发展可以进一步改善集成电路。

发明内容

本揭露的一实施例包括一种在基板上形成鳍片的方法。此方法包括沉积含有第一鳍片间隔材料的第一鳍片间隔与含有第二鳍片间隔材料的第二鳍片间隔在具有位于基板的半导体材料的一硬遮罩的基板上的多个位置上，其中第一鳍片间隔包括所需第一鳍片间隔与虚设第一鳍片间隔，且第二鳍片间隔包括所需第二鳍片间隔与虚设第二鳍片间隔。此方法还包括在第一鳍片间隔与第二鳍片间隔之下的基板上形成鳍片。鳍片包括多个虚设鳍片与多个所需鳍片。虚设鳍片包括形成在虚设第一鳍片间隔下的多个虚设第一鳍片与形成在虚设第二鳍片间隔下的多个虚设第二鳍片。此方法还包括个别地移除虚设第一鳍片间隔，而不移除虚设第二鳍片间隔，移除虚设第二鳍片间隔，以及在不损坏所需鳍片的情况下，移除虚设鳍片。

本揭露的另一实施例包括一种在基板上形成鳍片的方法。此方法包括：沉积含有第一鳍片间隔材料的第一鳍片间隔与含有第二鳍片间隔材料的第二鳍片间隔在具有位于基板的半导体材料的一硬遮罩的基板上的多个位置上，其中第一鳍片间隔包括所需第一鳍片间隔与虚设第一鳍片间隔，且第二鳍片间隔包括所需第二鳍片间隔与虚设第二鳍片间隔。此方法还包括在第一鳍片间隔与第二鳍片间隔之下的基板上形成鳍片。鳍片包括多个虚设鳍片与多个所需鳍片。虚设鳍片包括形成在虚设第一鳍片间隔下的多个虚设第一鳍片与形成在虚设第二鳍片间隔下的多个虚设第二鳍片。此方法还包括个别地移除虚设第一鳍片间隔，而不移除虚设第二鳍片间隔，移除虚设第二鳍片间隔，以及在不损坏所需鳍片的情况下，移除虚设鳍片。

本揭露的又一实施例包括一种在基板上形成鳍片的方法。此方法包括沉积含有第一鳍片间隔材料的第一鳍片间隔与含有第二鳍片间隔材料的第二鳍片间隔在具有位于基板的半导体材料的一硬遮罩的基板上的多个位置上。第一鳍片间隔包括所需第一鳍片间隔与虚设第一鳍片间隔。第二鳍片间隔包括所需第二鳍片间隔与虚设第二鳍片间隔。此方法还包括在第一鳍片间隔与第二鳍片间隔之下的基板上形成鳍片，其中鳍片包括多个虚设鳍片与多个所需鳍片，虚设鳍片包括形成在虚设第一鳍片间隔下的多个虚设第一鳍片与形成在虚设第二鳍片间隔下的多个虚设第二鳍片。此方法还包括在不移除虚设第二鳍片间隔的情况下，移除虚设第一鳍片间隔，移除虚设第二鳍片间隔，以及在不损坏所需鳍片的情况下，同时移除基板上的一第一单元中的虚设鳍片以在第一单元中的每个晶体管保留第一数量的鳍片以及基板上的一第二单元中的虚设鳍片以在第二单元中的每个晶体管保留第二数量的鳍片，其中第一数量和第二数量不同。

附图说明

阅读以下详细叙述并搭配对应的附图，可了解本揭露的多个态样。应注意，根据业界中的标准做法，多个特征并非按比例绘制。事实上，多个特征的尺寸可任意增加或减少以利于讨论的清晰性。

图1绘示了根据部分实施例的在基板上形成用于半导体装置的鳍片的一示例性方法的制程流程图；

图2绘示了根据部分实施例的在基板上形成用于半导体装置的鳍片的另一示例性方法的制程流程图；

图3绘示了根据部分实施例的在基板上形成用于半导体装置的鳍片的另一示例性方法的制程流程图；