[发明专利]在基板上形成鳍片的方法有效

专利信息
申请号: 201611093056.1 申请日: 2016-12-02
公开(公告)号: CN107785429B 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 周雷峻;陈志良;赖志明;杨超源;曾晋沅;曾健庭;萧锦涛;刘如淦;林纬良 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 基板上 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种在基板上形成鳍片的方法,其特征在于,包括:

提供基板与位于所述基板上的硬遮罩;

沉积第一鳍片间隔与第二鳍片间隔在所述硬遮罩上的多个位置上;

形成多个鳍片在所述第一鳍片间隔与所述第二鳍片间隔之下的所述基板上,包括:

使用蚀刻操作移除不在所述第一鳍片间隔或所述第二鳍片间隔之下的所述基板与所述硬遮罩以形成所述鳍片;以及

用浅沟槽隔离材料填充形成的所述鳍片之间的区域;

在不移除任一所述第二鳍片间隔的情况下,移除虚设第一鳍片上的多个所述第一鳍片间隔;

在不移除剩余的任一所述第一鳍片间隔的情况下,移除虚设第二鳍片上的多个所述第二鳍片间隔;以及

在不损坏剩余鳍片的情况下,移除所述虚设第一鳍片与所述虚设第二鳍片。

2.如权利要求1所述的在基板上形成鳍片的方法,其中沉积第一鳍片间隔与第二鳍片间隔在所述硬遮罩上的多个位置上包括:

沉积芯轴与所述第一鳍片间隔在所述硬遮罩上;

在所述第一鳍片间隔沉积之后移除所述芯轴;

在所述硬遮罩上沉积临时间隔与所述第二鳍片间隔;

使用图案化操作将所述临时间隔与所述第二鳍片间隔形成为所需形状;

移除所述临时间隔;以及

切齐所述第二鳍片间隔。

3.如权利要求1所述的在基板上形成鳍片的方法,其中沉积第一鳍片间隔与第二鳍片间隔在所述硬遮罩上的多个位置上包括:

沉积芯轴与所述第一鳍片间隔在所述硬遮罩上;

在所述第一鳍片间隔沉积之后移除所述芯轴;

在所述硬遮罩上沉积第一临时间隔与所述第二鳍片间隔;

使用蚀刻操作将所述第一临时间隔与所述第二鳍片间隔形成为所需形状;

沉积第二临时间隔与额外的第一鳍片间隔;以及

移除所述第一临时间隔与所述第二临时间隔。

4.如权利要求1所述的在基板上形成鳍片的方法,其中沉积第一鳍片间隔与第二鳍片间隔在所述硬遮罩上的多个位置上包括:

沉积芯轴与所述第一鳍片间隔在所述硬遮罩上;

在所述第一鳍片间隔沉积之后移除所述芯轴;

在所述硬遮罩上沉积临时间隔与所述第二鳍片间隔;

使用蚀刻操作将所述临时间隔与所述第二鳍片间隔形成为所需形状;以及

移除所述临时间隔。

5.一种在基板上形成鳍片的方法,其特征在于,包括:

提供基板与位于所述基板上的硬遮罩;

沉积含有第一鳍片间隔材料的第一鳍片间隔与含有第二鳍片间隔材料的第二鳍片间隔在所述硬遮罩上的多个位置上,其中所述第一鳍片间隔包括所需第一鳍片间隔与虚设第一鳍片间隔,且所述第二鳍片间隔包括所需第二鳍片间隔与虚设第二鳍片间隔;

在所述第一鳍片间隔与所述第二鳍片间隔之下的所述基板上形成多个鳍片,包括:

使用蚀刻操作移除不在所述第一鳍片间隔或所述第二鳍片间隔之下的所述基板与所述硬遮罩,以形成所述鳍片;以及

用浅沟槽隔离材料填充形成的所述鳍片之间的区域,其中所述鳍片包括多个虚设鳍片与多个所需鳍片,所述虚设鳍片包括形成在所述虚设第一鳍片间隔下的多个虚设第一鳍片与形成在所述虚设第二鳍片间隔下的多个虚设第二鳍片;

个别地移除所述虚设第一鳍片间隔而不移除所述虚设第二鳍片间隔;

移除所述虚设第二鳍片间隔;以及

在不损坏所述所需鳍片的情况下移除所述虚设鳍片。

6.如权利要求5所述的在基板上形成鳍片的方法,其中移除所述虚设第一鳍片间隔包括:

在所述所需第一鳍片间隔和所述第二鳍片间隔上方施加第一硬遮罩层,其中所述第二鳍片间隔比任一所述所需第一鳍片间隔更靠近所述第一硬遮罩层的边缘;

使用图案化操作从所述虚设第一鳍片移除所述第一鳍片间隔材料;以及

移除所述第一硬遮罩层。

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