[发明专利]用于半导体器件的结构和方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

提供前体，其中，所述前体包含：

衬底；

隔离结构，位于所述衬底上方；

两个鳍，从所述衬底延伸并穿过所述隔离结构，所述两个鳍并排设置，所述两个鳍的每个都具有沟道区和夹住所述沟道区的两个源极/漏极(S/D)区；以及

栅极堆叠件，位于所述隔离结构的上方并且与所述两个鳍的沟道区接合；

在所述两个鳍的源极/漏极区的侧壁上形成介电层；

蚀刻所述两个鳍的所述源极/漏极区，从而形成四个沟槽，其中，所述四个沟槽的每个均具有底部的开口比顶部宽的逐渐变细的截面轮廓；以及

分别在所述四个沟槽中生长四个源极/漏极部件，

其中：

所述四个源极/漏极部件的每个都包含下部和在所述下部上方的上部；

所述四个源极/漏极部件的下部至少部分地被所述介电层环绕；

所述四个源极/漏极部件的上部合并为两个合并式源极/漏极部件，其中，在所述栅极堆叠件的每侧上各具有一个合并式源极/漏极部件；并且

所述两个合并式源极/漏极部件的每个都具有弯曲顶面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述四个源极/漏极部件的每个都包含n型掺杂的硅。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

形成两个接触件，其中，在所述两个合并式源极/漏极部件的每个上方各具有一个接触件。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极堆叠件是伪栅极，还包括：

用最终的栅极堆叠件代替所述栅极堆叠件。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述介电层包含：

沉积介电材料，从而覆盖所述栅极堆叠件、所述两个鳍和所述隔离结构；以及

对所述介电材料执行各向异性蚀刻工艺以从所述栅极堆叠件、所述两个鳍和所述隔离结构的每个的顶面去除所述介电材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述弯曲顶面在靠近所述弯曲顶面的中心处具有倾角。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述倾角具有从所述倾角的顶部到所述倾角的底部的逐渐变细的截面轮廓。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述四个源极/漏极部件的每个所述下部都有底部比顶部宽的逐渐变细的截面轮廓。