[发明专利]钛钨合金的蚀刻液

说明书

本发明公开一种钛钨合金的蚀刻液，所述钛钨合金的蚀刻液包含a)10～32重量百分比的氧化剂、b)1.32～6.78重量百分比的pH调整剂、c)0.1～14重量百分比的铜腐蚀抑制剂、d)2～14重量百分比的pH缓冲剂及e)35～66重量百分比的水。本发明是通过将pH缓冲剂加入于钛钨合金的蚀刻液中，使得在钛钨合金的蚀刻期间可以有效地减缓蚀刻液pH值的降低，故蚀刻液不会因为pH值的降低而腐蚀铜金属。

技术领域

本发明涉及一种蚀刻液，特别涉及一种钛钨合金的蚀刻液。

背景技术

请参见图1，在现有的半导体封装凸块(flip chip bump)制程中，需要溅镀一凸块下金属化(Under Bump Metallization，UBM)层10当作凸块20电镀时的导电层。所述凸块下金属化(UBM)层10由上至下依序包含一种子层101(材质为铜)及一粘附层102(材质为钛或钛钨合金)。电镀完凸块20后，须将无电镀结构的凸块下金属化(UBM)层10以湿蚀刻方式去除。首先是将上层的种子层101以蚀刻去除，再将下层裸露的粘附层102去除。

普遍对于钛钨合金的蚀刻如中国台湾专利公告号第I369724号中所公开的，是以含有25重量百分比至35重量百分比双氧水的蚀刻液并在35℃至50℃之间的温度下进行蚀刻(权利要求1、9、11和19)，然而其蚀刻速率慢，纵使药水成本低廉但不利于操作。

进一步改良的钛钨合金的蚀刻液是将双氧水的pH值调整至大于4，其蚀刻速率快，但是在蚀刻液的蚀刻中后期，其pH值会随着钛钨合金于蚀刻液中的溶解量增加而下降，进而造成了由铜金属所组成的种子层101的腐蚀，导致铜金属的底切量(undercut)增加。

在现有技术中控制铜金属底切量的方法是在钛钨合金的蚀刻液中加入铜腐蚀抑制剂。然而，随着铜腐蚀抑制剂的强度增加，钛钨合金的蚀刻速率也会随之降低。

因此，有必要提供一种改进的钛钨合金的蚀刻液，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明目的在于提供一种钛钨合金的蚀刻液，其是通过将pH缓冲剂加入于钛钨合金的蚀刻液中，使得在钛钨合金的蚀刻期间可以有效地减缓蚀刻液pH值的降低，故蚀刻液不会因为pH值的降低而腐蚀铜金属。

用于实现上述目的，本发明提供一种钛钨合金的蚀刻液，其用于蚀刻钛钨合金且在蚀刻期间可有效地抑制铜金属的腐蚀，所述钛钨合金的蚀刻液包括：

10～32重量百分比的氧化剂；

1.32～6.78重量百分比的pH调整剂；

0.1～14重量百分比的铜腐蚀抑制剂；

2～14重量百分比的pH缓冲剂；以及

35～66重量百分比的水。

在本发明的一实施例中，所述pH缓冲剂包括：一包含有邻苯二甲酸氢钾(potassium hydrogen phthalate)、氯化氢及氢氧化钠的pH缓冲剂；一包含有柠檬酸(citrate acid)、氯化氢及氢氧化钠的pH缓冲剂；一包含有乙酸、氯化氢及氢氧化钠的pH缓冲剂；或一包含有乙酸及乙酸钠(sodium acetate)的pH缓冲剂，但本发明不限于此。

在本发明的一实施例中，所述铜腐蚀抑制剂包括聚丙二醇(poly(propyleneglycol)，PPG)、5-氨基四唑(5-Aminotetrazole，5-ATZ)、聚乙二醇(poly(ethyleneglycol)，PEG)、酚磺酸(Phenol Sulfonic Acid，PSA)、甲基苯并三唑(Methylbenzotriazole，MBT)、甲苯基三氮唑(Tolyltriazole，TTA)或1,2,3-苯并三唑(1,2,3-bezotriazol，BTA)，但本发明不限于此。