[发明专利]一种分层型量子点LED背光源的制作方法有效

专利信息
申请号: 201611083070.3 申请日: 2016-11-30
公开(公告)号: CN106784261B 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 张志宽;高丹鹏;邢其彬;王欣荣;王旭改 申请(专利权)人: 深圳市聚飞光电股份有限公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L33/54;H01L33/58
代理公司: 深圳市精英专利事务所 44242 代理人: 任哲夫
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区平*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 分层 量子 led 背光源 制作方法
【权利要求书】:

1.一种分层型量子点LED背光源的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:

a、向发光材料A中加入光固化胶水并将二者混合均匀,得到荧光胶A,所述光固化胶水与所述发光材料A的质量比为1-300:1;

b、将所述荧光胶A涂覆于LED背光源中LED透镜的内表面或外表面,并使所述荧光胶固化;

c、向发光材料B中加入光固化胶水并将二者混合均匀,得到荧光胶B,所述光固化胶水与所述发光材料B的质量比为1-300:1;

d、将所述荧光胶B涂覆于所述荧光胶A表面,并使所述荧光胶B固化;

e、在所述荧光胶B表面涂覆一层光固化胶水,并使所述光固化胶水固化,得到分层结构的LED透镜;

f、将所述LED透镜固定于LED单色灯条上,所述LED单色灯条中的灯珠只有发光芯片发光;

其中,所述发光材料A和/或发光材料B包括量子点荧光粉;

所述量子点荧光粉为BaS、AgInS2、NaCl、Fe2O3、In2O3、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbS、PbSe、PbTe、Cd(SxSe1-x)、BaTiO3、PbZrO3、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3中的至少一种;

所述发光材料A和/或发光材料B还包括稀土元素掺杂的无机荧光粉;所述无机荧光粉为硅酸盐、铝酸盐、磷酸盐、氮化物、氟化物荧光粉中的至少一种;

涂覆于所述LED透镜表面的荧光胶A厚度为3-300μm,所述荧光胶A经230-400nm的紫外光照射3-100s固化;

所述荧光胶B的涂覆厚度为3-300μm,所述荧光胶B经230-400nm的紫外光照射3-100s固化;

所述步骤e中,所述光固化胶水的涂覆厚度为10-1000μm,所述光固化胶水经230-400nm的紫外光照射5-200s固化。

2.根据权利要求1所述的分层型量子点LED背光源的制作方法,其特征在于,所述发光材料A和所述发光材料B的发射光峰值波长为450-660nm。

3.根据权利要求2所述的分层型量子点LED背光源的制作方法,其特征在于,所述发光芯片为发光峰值波长230-400nm的紫外芯片或发光峰值波长420-480nm的蓝光芯片。

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