[发明专利]一种直下式LED背光源的制作方法在审

专利信息
申请号: 201611082011.4 申请日: 2016-11-30
公开(公告)号: CN106784260A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 张志宽;高丹鹏;邢其彬;周世官;王旭改 申请(专利权)人: 深圳市聚飞光电股份有限公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L33/54;H01L33/58
代理公司: 深圳市精英专利事务所44242 代理人: 任哲夫
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区平*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 直下式 led 背光源 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明属于LED背光源技术领域,涉及一种LED背光源的制作方法,具体地说涉及一种直下式LED背光源的制作方法。

背景技术

与传统的CCFL背光源相比,LED背光具有高色域、高亮度、长寿命、节能环保、实时色彩可控等诸多优点,特别是高色域的LED背光源使应用其的电视、手机、平板电脑等电子产品屏幕具有更加鲜艳的颜色,色彩还原度更高。

进入二十一世纪以来,背光源技术发展迅速,不断有新技术、新产品推出,LED背光已成为市场主流。目前常用的LED背光源通常采用蓝光芯片激发YAG黄光荧光粉的形式,但是因背光源中缺少红光成分,色域值只能达到NTSC 65%~72%。为了进一步提高色域值,技术人员普遍采用蓝光芯片同时激发红光荧光粉、绿光荧光粉的方式,但由于现用荧光粉的半波宽较宽,故即使采用这种方式,也只能将背光源的色域值提升至NTSC 80%左右。同时,现有荧光粉的激发效率低,为实现高色域白光需要大量荧光粉,导致LED封装过程中荧光粉的浓度(荧光粉占封装胶水的比例)很高,从而极大地增加了封装作业的难度以及产品的不良率。

近年来,量子点材料逐渐受到重视,特别是量子点荧光粉具有光谱随尺寸可调、发射峰半波宽窄、斯托克斯位移大、激发效率高等一系列独特的光学性能,受到LED背光行业的广泛关注。目前,量子点荧光粉实现高色域白光的方式主要有:(1)将量子点荧光粉制成光学膜材,填充于导光板或者贴于液晶屏幕内,通过蓝光或紫外光背光灯珠激发,获得高色域白光;(2)将量子点荧光粉制成玻璃管,置于屏幕侧面,通过蓝光或紫外光背光灯珠激发,获得高色域白光。这两种实现方式已有相关产品推出,例如TCL的量子点膜电视。但是,这两种实现方式的工艺复杂、光转化效率低、成本较高,很难实现大规模产业化。

发明内容

为此,本发明所要解决的技术问题在于现有技术中量子点发光器件存在制作工艺复杂、光转化效率低、生产成本高的技术瓶颈,从而提出一种制作工艺简单、光转化效率高、成本低廉的直下式LED背光源的制作方法。

为解决上述技术问题,本发明的技术方案为:

本发明提供一种直下式LED背光源的制作方法,其包括如下步骤:

a、将至少两种荧光粉按照任意比例混合均匀,得到混合荧光粉,其中,至少一种荧光粉为量子点荧光粉;

b、向所述混合荧光粉中加入光固化胶水,所述光固化胶水与所述混合荧光粉的质量比为1-300:1,混合均匀后得到量子点荧光胶;

c、将所述量子点荧光胶涂覆于LED透镜的内表面或外表面,并将所述量子点荧光胶固化;

d、在步骤c中得到的固化后的量子点荧光胶表面涂覆光固化胶水,并将所述光固化胶水固化,得到具有保护层的量子点透镜。

作为优选,所述量子点荧光粉为BaS、AgInS2、NaCl、Fe2O3、In2O3、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbS、PbSe、PbTe、Cd(SxSe1-x)、BaTiO3、PbZrO3、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3中的至少一种。

作为优选,所述荧光粉的发射光峰值波长为430-660nm。

作为优选,所述混合荧光粉中除量子点荧光粉之外的荧光粉为量子点荧光粉或稀土元素掺杂的无机荧光粉。

作为优选,所述无机荧光粉为硅酸盐、铝酸盐、磷酸盐、氮化物、氟化物荧光粉中的至少一种。

作为优选,所述光固化胶水为环氧类封装胶、有机硅类封装胶、聚氨酯封装胶中的至少一种。

作为优选,还包括步骤e、将所述量子点透镜安装于LED单色光灯条上,所述LED单色光灯条中仅发光芯片发光,所述发光芯片为发射光峰值波长230-400nm的紫外芯片,或所述发光芯片为发射光峰值波长420-480nm的蓝光芯片。

作为优选,所述步骤c中量子点荧光胶的涂覆厚度为5-500μm,所述量子点荧光胶在230-400nm的紫外光下照射3-100s固化。

作为优选,所述步骤d中光固化胶水的涂覆厚度为10-1000μm,所述光固化胶水在230-400nm的紫外光下照射5-200s固化。

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