[发明专利]一种直下式LED背光源的制作方法在审
| 申请号: | 201611082011.4 | 申请日: | 2016-11-30 |
| 公开(公告)号: | CN106784260A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
| 发明(设计)人: | 张志宽;高丹鹏;邢其彬;周世官;王旭改 | 申请(专利权)人: | 深圳市聚飞光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L33/54;H01L33/58 |
| 代理公司: | 深圳市精英专利事务所44242 | 代理人: | 任哲夫 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区平*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 直下式 led 背光源 制作方法 | ||
1.一种直下式LED背光源的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
a、将至少两种荧光粉按照任意比例混合均匀,得到混合荧光粉,其中,至少一种荧光粉为量子点荧光粉;
b、向所述混合荧光粉中加入光固化胶水,所述光固化胶水与所述混合荧光粉的质量比为1-300:1,混合均匀后得到量子点荧光胶;
c、将所述量子点荧光胶涂覆于LED透镜的内表面或外表面,并将所述量子点荧光胶固化;
d、在步骤c中得到的固化后的量子点荧光胶表面涂覆光固化胶水,并将所述光固化胶水固化,得到具有保护层的量子点透镜。
2.根据权利要求1所述的直下式LED背光源的制作方法,其特征在于,所述量子点荧光粉为BaS、AgInS2、NaCl、Fe2O3、In2O3、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbS、PbSe、PbTe、Cd(SxSe1-x)、BaTiO3、PbZrO3、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的直下式LED背光源的制作方法,其特征在于,所述荧光粉的发射光峰值波长为430-660nm。
4.根据权利要求3所述的直下式LED背光源的制作方法,其特征在于,所述混合荧光粉中除量子点荧光粉之外的荧光粉为量子点荧光粉或稀土元素掺杂的无机荧光粉。
5.根据权利要求4所述的直下式LED背光源的制作方法,其特征在于,所述无机荧光粉为硅酸盐、铝酸盐、磷酸盐、氮化物、氟化物荧光粉中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的直下式LED背光源的制作方法,其特征在于,所述光固化胶水为环氧类封装胶、有机硅类封装胶、聚氨酯封装胶中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的直下式LED背光源的制作方法,其特征在于,还包括步骤e、将所述量子点透镜安装于LED单色光灯条上,所述LED单色光灯条中仅发光芯片发光,所述发光芯片为发射光峰值波长230-400nm的紫外芯片,或所述发光芯片为发射光峰值波长420-480nm的蓝光芯片。
8.根据权利要求7所述的直下式LED背光源的制作方法,其特征在于,所述步骤c中量子点荧光胶的涂覆厚度为5-500μm,所述量子点荧光胶在230-400nm的紫外光下照射3-100s固化。
9.根据权利要求8所述的直下式LED背光源的制作方法,其特征在于,所述步骤d中光固化胶水的涂覆厚度为10-1000μm,所述光固化胶水在230-400nm的紫外光下照射5-200s固化。
10.根据权利要求9所述的直下式LED背光源的制作方法,其特征在于,所述量子点荧光粉为粉末状或溶剂分散状。
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