[发明专利]执行封装后修复操作的存储器设备

说明书

一种存储器设备包括：存储器单元阵列，其包括连接到字线和位线的存储器单元、以及连接到冗余字线和位线的冗余存储器单元；以及控制逻辑，其被配置成控制由存储器设备进行的封装后修复操作的执行。控制逻辑包括PPR控制电路，所述PPR控制电路响应于正常PPR命令而在正常PPR操作期间将坏行地址编程到非易失性存储器，并且响应于快速PPR命令而在快速PPR操作期间将坏行地址编程到易失性存储器，并且用与冗余字线相关联的冗余行替换在存储器单元阵列中的坏行。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年12月24日提交的韩国专利申请第10-2015-0186777号的权益，其主题通过引用并入在此。

技术领域

发明构思涉及半导体设备，并且更具体地，涉及执行一个或多个封装后修复(postpackage repair，PPR)操作的半导体设备。

背景技术

半导体存储器设备通常包括一个或多个存储器单元阵列(例如，二维和/或三维)，该存储器单元阵列包括以行和列的矩阵布置的存储器单元。存储器设备通常包括所谓的“冗余存储器单元”，其可用于在功能上替换在存储器单元阵列的存储器单元当中所识别的(一个或多个)坏存储器单元。常见的是用冗余存储器单元的行(“冗余行”)替换包含一个或多个坏存储器单元的存储器单元的行。需要用相应的冗余行替换存储器单元的行的步骤集合可称为“修复操作”。在这种情境下，PPR操作是指在存储器设备已被封装之后执行的修复操作。

随着现代存储器设备的集成密度增加，并且半导体制造工艺变得更加精细，单个存储器单元故障已经增加。在PPR操作中，具有少至单个位故障的坏行可以由冗余行来替换。然而，由于连接到冗余行的存储器单元将存储未知数据，所以用冗余行对坏行的盲替换可能将额外的位误差引入到在坏行中存储(或试图存储)的数据中。

发明内容

发明构思的实施例提供了能够执行避免将额外位误差引入到存储数据中的各种封装后修复(PPR)操作的存储器设备和存储器系统。

根据发明构思的一方面，提供了一种存储器设备，其从存储器控制器接收指定与坏字线相关联的坏行的坏行地址、以及正常封装后修复(PPR)命令和快速PPR(sPPR)命令中的一个命令。存储器设备包括：存储器单元阵列，其包括连接到字线和位线的存储器单元、以及连接到冗余字线和位线的冗余存储器单元；以及控制逻辑，其被配置成控制由存储器设备进行的PPR操作的执行。控制逻辑包括PPR控制电路，该PPR控制电路响应于正常PPR命令而在正常PPR操作期间将坏行地址编程到非易失性存储器，并且响应于快速PPR命令而在快速PPR操作期间将坏行地址编程到易失性存储器，并且用与冗余字线相关联的冗余行替换在存储器单元阵列中的坏行。

根据发明构思的一方面，提供了一种存储器设备，其从存储器控制器接收指定与坏位线相关联的坏列的坏列地址，以及正常封装后修复(PPR)命令和快速PPR(sPPR)命令中的一个命令。该存储器设备包括：存储器单元阵列，其包括连接到字线和位线的存储器单元，以及连接到冗余位线和字线的冗余存储器单元，以及控制逻辑，该控制逻辑被配置成控制由存储器设备进行的PPR操作的执行。控制逻辑包括PPR控制电路，该PPR控制电路响应于正常PPR命令而在正常PPR操作期间将坏列地址编程到非易失性存储器，并且响应于快速PPR命令而在快速PPR操作期间将坏列地址编程到易失性存储器，并且用与冗余位线相关联的冗余列替换在存储器单元阵列中的坏列。

根据发明构思的一方面，提供了一种操作存储器设备的方法。该方法包括：响应于接收的PPR命令和坏地址，进入正常封装后修复(PPR)模式或快速PPR模式中的一个模式；在坏地址存储装置中存储坏地址；以及将数据写入到替换由坏地址选择的存储器单元的冗余存储器单元。

附图说明

从结合附图的以下详细描述中将更清楚地理解发明构思的实施例，在附图中：

图1是图示根据发明构思的实施例的包括封装后修复(PPR)控制电路的存储器系统的框图；