[发明专利]一种砷化镓基异质结遂穿场效应晶体管在审
| 申请号： | 201611076133.2 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106601817A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 刘丽蓉;王勇;丁超 | 申请（专利权）人： | 东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所44332 | 代理人： | 曾秋梅 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市松山湖高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓基异质结遂穿 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基异质结遂穿场效应晶体管结构，具体包括：
一N型掺杂的砷化镓半导体层；
一10纳米厚的本征的砷化镓半导体层；
一P型锑化镓半导体层；
一在本征砷化镓半导体层上生长的氧化铝介质层；
一在氧化铝介质层上形成的栅金属电极；
一在P型锑化镓半导体材料上形成的源电极；
一在N型掺杂的砷化镓半导体层上形成的漏电极。
2.根据权利要求1所述的一种硅基异质结遂穿场效应晶体管结构，其特征在于P型锑化镓半导体层厚度为10纳米，掺杂浓度为5×1019cm-3。
3.根据权利要求1所述的一种硅基异质结遂穿场效应晶体管结构，其特征在于本征半导体层上的氧化铝介质层厚度为4纳米。
4.根据权利要求1所述的一种硅基异质结遂穿场效应晶体管结构，其特征在于栅金属电极为钛钨金属，采用ICP刻蚀的方法在垂直结构侧壁形成金属电极。
5.根据权利要求1所述的一种硅基异质结遂穿场效应晶体管结构，其特征在于20纳米厚的N型掺杂的砷化镓层、本征掺杂的砷化镓层和P型掺杂的锑化镓半导体层形成一个垂直台面结构。
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