[发明专利]基板处理装置及方法有效
申请号: | 201611075932.8 | 申请日: | 2016-11-29 |
公开(公告)号: | CN106816399B | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 金载容 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 石宝忠 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,包括:
基板支撑单元,其包括用于支撑基板的支撑板;和
底部液体供给单元,其用于将液体供给到由所述支撑板支撑的所述基板的底部;
其中所述底部液体供给单元包括本体和与所述本体联接并用于将处理液排出到所述基板的所述底部的液体排出喷嘴,
其中在所述本体中形成用于将残留在所述本体中的液体排出的排放孔,
其中所述液体排出喷嘴的出口高于所述排放孔设置,
其中所述液体排出喷嘴设置有多个,并且所述排放孔位于两个相邻的液体排出喷嘴之间,或者所述液体排出喷嘴设置有多个,并且所述排放孔位于所述本体的中心轴线与所述液体排出喷嘴之间,或者所述液体排出喷嘴设置有多个,并且所述排放孔比所述液体排出喷嘴更远离所述本体的中心设置。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述底部液体供给单元还包括用于向所述排放孔提供负压的抽吸构件。
3.根据权利要求1或2所述的装置,其中所述本体插入所述支撑板中使得所述本体的上侧从所述支撑板向上突出,并且所述本体独立于所述支撑板设置。
4.根据权利要求1或2所述的装置,其中在所述本体的上侧中形成顶部凹槽,其中所述液体排出喷嘴位于所述顶部凹槽中,并且所述排放孔形成在所述顶部凹槽的底部中。
5.根据权利要求1或2所述的装置,其中所述底部液体供给单元还包括气体喷嘴,所述气体喷嘴包含用于侧向地和/或倾斜地排放气体的侧向排出管线并且与所述本体联接,并且其中所述侧向排出管线被设置成贯穿所述气体喷嘴的侧壁。
6.根据权利要求5所述的装置,其中所述气体喷嘴还包括顶部排出管线,其用于将气体向上排放到所述基板的底部。
7.根据权利要求6所述的装置,其中所述侧向排出管线是从所述顶部排出管线分支出来的。
8.根据权利要求7所述的装置,其中当俯视时所述气体喷嘴比所述液体排出喷嘴更靠近所述本体的中心轴线设置,并且其中所述侧向排出管线沿所述气体喷嘴的外周间隔开地设置有多个。
9.根据权利要求8所述的装置,其中当俯视时所述液体排出喷嘴围绕所述气体喷嘴设置。
10.根据权利要求5所述的装置,其中所述侧向排出管线被设置于接近所述本体的上表面的高度,并且被设置成沿与所述本体的上表面平行的方向注射气体。
11.根据权利要求5所述的装置,其中所述侧向排出管线被设置形成为向下倾斜,以使气体从所述本体的上侧排出到所述气体喷嘴和所述排放孔之间的间隙。
12.一种基板处理装置,包括:
基板支撑单元,其包括用于支撑所述基板的支撑板;和
底部液体供给单元,其用于将液体供给到由所述支撑板支撑的所述基板的底部;
其中所述底部液体供给单元包括:本体、用于将处理液排出到所述基板的底部并且与所述本体联接的液体排出喷嘴、以及与所述本体联接且包含排出气体的侧向排出管线的气体喷嘴,且
其中所述侧向排出管线被设置成贯穿所述气体喷嘴的侧壁,
其中在所述本体的上表面中形成用于将残留在所述本体处的液体排出的排放孔,
其中所述液体排出喷嘴的出口高于所述排放孔设置,
其中所述液体排出喷嘴设置有多个,并且所述排放孔位于两个相邻的液体排出喷嘴之间,或者所述液体排出喷嘴设置有多个,并且所述排放孔位于所述本体的中心轴线与所述液体排出喷嘴之间,或者所述液体排出喷嘴设置有多个,并且所述排放孔比所述液体排出喷嘴更远离所述本体的中心设置。
13.根据权利要求12所述的装置,其中当俯视时所述气体喷嘴比所述液体排出喷嘴更靠近所述本体的中心轴线设置,并且其中所述侧向排出管线沿所述气体喷嘴的外周间隔开地设置有多个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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