[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置

说明书

本发明提供了一种阵列基板、包括阵列基板的显示面板和显示装置，以及阵列基板的制作方法。所述阵列基板包括显示区、设置在显示区中的多个第一晶体管、设置在显示区外围的非显示区以及设置在非显示区中的多个第二晶体管，其中相比于第一晶体管，第二晶体管的有源层的厚度更小。

技术领域

本发明一般地涉及显示技术领域，并且更特别地涉及一种阵列基板、包括阵列基板的显示面板和显示装置，以及阵列基板的制作方法。

背景技术

在包括薄膜晶体管（TFT）阵列基板的显示面板中，静电放电（Electro-StaticDischarge，ESD）现象会对TFT阵列基板的内部结构造成破坏。特别地，静电放电容易击穿TFT的沟道区域，导致TFT损坏，从而影响显示面板的正常显示。

现有技术提出通过在阵列基板中形成短路环来解决显示面板中的静电放电问题。然而，在阵列基板的整个制作过程中，短路环通常在形成TFT的沟道区域之后形成。不幸的是，在未形成短路环之前并且在形成沟道区域之后，经常会由于工艺等因素而产生电荷积聚，从而产生瞬间的大电流。这样的大电流将造成阵列基板的不同金属层之间的绝缘层和TFT的沟道区域被击穿，进而影响产品良率。

因此，在本领域中存在对一种改进的阵列基板和显示面板的需要。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种阵列基板、包括阵列基板的显示面板和显示装置，以及阵列基板的制作方法，其能够至少部分地缓解或消除以上提到的现有技术中的问题中的一个或多个。

根据本发明的一个方面，提供了一种阵列基板。该阵列基板包括显示区、设置在显示区中的多个第一晶体管、设置在显示区外围的非显示区以及设置在非显示区中的多个第二晶体管。特别地，多个第二晶体管的有源层的厚度小于多个第一晶体管的有源层的厚度。

在本发明所提供的阵列基板中，由于第二晶体管的有源层的厚度小于第一晶体管的有源层的厚度，因此如果存在电荷积聚，则所产生的静电放电将优先发生在非显示区中，而设置在显示区中的第一晶体管则不受静电放电影响。因此，产品的抗ESD能力和产品的良率得以改进。

在一些实施例中，显示区还包括交叉设置的多条栅线和多条数据线。每一个第一晶体管设置在每一个栅线与数据线的交叉处，并且每一个第一晶体管的控制极连接到对应的栅线，每一个第一晶体管的第一极连接到对应的数据线。

在一些实施例中，第一晶体管的第一极为第一晶体管的源极或漏极。例如，当第一晶体管为N型晶体管时，第一晶体管的第一极为漏极。此外，第一晶体管的第二极（在N型晶体管的情况下，源极）连接到相应的发光单元，以便为发光单元提供驱动信号。

在一些实施例中，多条数据线延伸到非显示区，并且非显示区还包括与显示区中的多条栅线平行的一条或多条第一辅助线。多条数据线与第一辅助线交叉，每一个第二晶体管设置在每一个数据线与第一辅助线的交叉处，并且每一个第二晶体管的控制极连接到对应的第一辅助线，每一个第二晶体管的第一极连接到对应的数据线。

在这样的实施例中，第一晶体管和第二晶体管共用数据线。当阵列基板上由于电荷积聚而发生静电放电时，所产生的大电流将流向第二晶体管，使第二晶体管被击穿而保护第一晶体管不受影响，从而保证显示面板的正常工作。

在一些实施例中，多条栅线延伸到非显示区，并且非显示区还包括与显示区中的多条数据线平行的一条或多条第二辅助线。多条栅线与第二辅助线交叉，每一个第二晶体管设置在每一个栅线与第二辅助线的交叉处，并且每一个第二晶体管的控制极连接到对应的栅线，每一个第二晶体管的第一极连接到对应的第二辅助线。

在这样的实施例中，第一晶体管和第二晶体管共用栅线。同样地，当阵列基板上由于电荷积聚而发生静电放电时，所产生的大电流将流向第二晶体管，使第二晶体管被击穿而保护第一晶体管不受影响，从而保证显示面板的正常工作。