[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置有效
| 申请号： | 201611072838.7 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108122926B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 高吉磊;孙静;刘金良;罗鸿强;刘祖文 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 初媛媛;陈岚 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板包括显示区、设置在显示区中的多个第一晶体管、位于显示区外围的非显示区以及设置在非显示区中的多个第二晶体管，所述方法包括：
依次形成半导体层、源漏金属层以及光致抗蚀剂；
对要形成第一晶体管和第二晶体管的沟道的区域中的光致抗蚀剂进行曝光，使得要形成第一晶体管的沟道的区域中的光致抗蚀剂的曝光程度小于要形成第二晶体管的沟道的区域中的光致抗蚀剂的曝光程度；
对光致抗蚀剂进行显影；
分别蚀刻掉要形成第一晶体管和第二晶体管的沟道的区域处的源漏金属层和部分的半导体层以分别形成第一晶体管和第二晶体管的有源层；以及
去除光致抗蚀剂，
其中，形成的第二晶体管的有源层的厚度小于第一晶体管的有源层的厚度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对要形成第一晶体管和第二晶体管的沟道的区域中的光致抗蚀剂进行曝光包括：
对要形成第一晶体管和第二晶体管的沟道的区域中的光致抗蚀剂进行部分曝光；以及
对要形成第一晶体管和第二晶体管之间的区域的光致抗蚀剂进行全曝光。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，分别蚀刻掉要形成第一晶体管和第二晶体管的沟道的区域处的源漏金属层和部分的半导体层以分别形成第一晶体管和第二晶体管的有源层包括：
对光致抗蚀剂进行灰化处理直到在要形成第二晶体管的沟道的区域处暴露出源漏金属层；
蚀刻掉暴露出的源漏金属层并且蚀刻掉部分的半导体层以形成第二晶体管的有源层；
在形成第二晶体管的有源层之后对光致抗蚀剂进行灰化处理直到在要形成第一晶体管的沟道的区域中暴露出源漏金属层；以及
蚀刻掉暴露出的源漏金属层并且蚀刻掉部分的半导体层以形成第一晶体管的有源层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对要形成第一晶体管和第二晶体管的沟道的区域的光致抗蚀剂进行曝光包括，对要形成第一晶体管沟道的区域的光致抗蚀剂进行1/3曝光，并且对要形成第二晶体管的沟道的区域的光致抗蚀剂进行2/3曝光。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括蚀刻掉要形成第一晶体管和第二晶体管之间的区域中的源漏金属层和半导体层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在去除光致抗蚀剂之后的阵列基板上形成静电放电短路环。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
