[发明专利]一种锗基NMOS器件结构在审
| 申请号： | 201611072384.3 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106601816A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 刘丽蓉;王勇;丁超 | 申请（专利权）人： | 东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所44332 | 代理人： | 曾秋梅 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市松山湖高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nmos 器件 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种锗基NMOS器件结构，其结构包括
一掺杂浓度为1×1018cm-3的P型锗衬底和衬底上形成的15纳米宽的鳍状结构(101)；
一200纳米厚度的氧化硅隔离层(102)；
一200纳米厚度的硅锗源漏欧姆接触层(103)；
一锗鳍状结构上形成的3纳米厚度的氧化铝介质层(104)；
一在氧化铝介质层上形成的栅金属电极层(105)；
一在硅锗源漏欧姆接触层上形成的源漏金属电极(106)。
2.根据权利要求1所述的一种锗基NMOS器件结构，其特征在于锗衬底的鳍状结构宽度与器件设计栅长一致。
3.根据权利要求1所述的一种锗基NMOS器件结构，其特征在于硅锗源漏欧姆接触层是在氧化硅隔离层与锗鳍状结构间采用外延生长的方法形成的。
4.根据权利要求1所述的一种锗基NMOS器件结构，其特征在于硅锗源漏欧姆接触层宽度、鳍状结构宽度和氧化硅隔离层宽度共同确定锗基NMOS器件的尺寸。
5.根据权利要求1所述的一种锗基NMOS器件结构，其特征在于硅锗外延层的掺杂类型为N型，掺杂浓度为1×1019cm-3。
6.根据权利要求1所述的一种锗基NMOS器件结构，其特征在于栅金属电极为钛/铝金属，厚度为20/200纳米，完全覆盖锗衬底上的鳍状结构。
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