[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置

说明书

本发明涉及一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述方法包括提供第一晶圆，在所述第一晶圆中形成有零层标记；在所述第一晶圆上形成钝化层，以覆盖所述零层标记；图案化所述钝化层，以在所述零层标记上方的所述钝化层中形成对准标记；提供第二晶圆并与所述第一晶圆相接合；图案化所述第二晶圆，以形成开口并露出所述对准标记；在所述开口的表面以及所述对准标记的表面形成功能材料层。本发明中所述对准标记被第二晶圆暴露，并且在形成功能材料层(例如接触孔材料层)之后仍然能暴露出所述对准标记，不会被覆盖，因此可以避免无法对准的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及制备方法、电子装置。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，使用微电子机械系统(Micro Electro MechanicalSystem，MEMS)技术制作而成的MEMS器件十分引人注目。MEMS器件是在半导体基板上制作微小的MEMS结构体，来用作传感器、振子等用途。在该MEMS结构体上设有固定电极和可动电极，通过使用可动电极的挠曲来检测产生于固定电极的静电电容等，来获得作为MEMS器件的特性。

所述MEMS器件种类繁多，其中，MEMS湿度传感器以及压力传感器已经在工业控制、汽车电子、环境监测、生物医学等领域得到广泛的应用，MEMS加速度计在工业、消费类电子中的应用也非常的广泛。

MEMS惯性传感器由于其具有尺寸小、成本低以及较高的可靠性等优点被得到广泛应用，在MEMS惯性传感器的制备过程中首先制备CMOS器件，并且在具有CMOS器件的第一晶圆中形成有零标记，在将所述第一晶圆和形成有MEMS器件的第二晶圆接合之后，所述零标记会被所述第二晶圆覆盖，从而导致零标记失效。

此外，在MEMS器件制备过程中可能要沉积接触孔材料层，在沉积接触孔材料层之后所述零标记同样会被覆盖而失效，因此还需要执行蚀刻步骤以露出所述零标记，以用作对准的标记，所述过程繁琐、增加了许多额外的步骤。

因此上述弊端成为亟需解决的问题，以进一步提高器件的性能和良率。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题，本发明提供了一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：

提供第一晶圆，在所述第一晶圆中形成有零层标记；

在所述第一晶圆上形成钝化层，以覆盖所述零层标记；

图案化所述钝化层，以在所述零层标记上方的所述钝化层中形成对准标记；

提供第二晶圆并与所述第一晶圆相接合；

图案化所述第二晶圆，以形成开口并露出所述对准标记；

在所述开口的表面以及所述对准标记的表面形成功能材料层。

可选地，形成所述零层标记以及所述对准标记的方法包括：

提供第一晶圆，在所述第一晶圆中形成有若干相互间隔的第一凹槽，以作为所述零层标记；

沉积所述钝化层，以填充所述第一凹槽并覆盖所述第一晶圆；

图案化所述钝化层，以在所述钝化层中形成若干相互间隔的第二凹槽，以作为所述对准标记。

可选地，通过熔融键合的方法将所述第一晶圆和所述第二晶圆相接合。

可选地，形成所述功能材料层的方法包括：

沉积所述功能材料层，以覆盖所述第二晶圆、所述开口的表面和所述对准标记的表面；