[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201611067307.9 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108117043B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 黄风建;毛益平;刘杰;吴悠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供第一晶圆，在所述第一晶圆中形成有零层标记；
在所述第一晶圆上形成钝化层，以覆盖所述零层标记；
图案化所述钝化层，以在所述零层标记上方的所述钝化层中形成对准标记；
提供第二晶圆并与所述第一晶圆相接合；
图案化所述第二晶圆，以形成开口并露出所述对准标记；
在所述开口的表面以及所述对准标记的表面形成功能材料层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述零层标记以及所述对准标记的方法包括：
提供第一晶圆，在所述第一晶圆中形成有若干相互间隔的第一凹槽，以作为所述零层标记；
沉积所述钝化层，以填充所述第一凹槽并覆盖所述第一晶圆；
图案化所述钝化层，以在所述钝化层中形成若干相互间隔的第二凹槽，以作为所述对准标记。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过熔融键合的方法将所述第一晶圆和所述第二晶圆相接合。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述功能材料层的方法包括：
沉积所述功能材料层，以覆盖所述第二晶圆、所述开口的表面和所述对准标记的表面；
执行平坦化步骤，以去除所述第二晶圆上的所述功能材料层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一晶圆中形成有CMOS器件；
所述第二晶圆中形成有MEMS器件。
6.一种基于权利要求1至5之一所述方法制备得到的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
第一晶圆；
零层标记，位于所述第一晶圆中；
钝化层，位于所述第一晶圆上；
对准标记，位于所述零层标记上方的所述钝化层中；
第二晶圆，所述第二晶圆通过所述钝化层与所述第一晶圆接合为一体，其中，所述第二晶圆中形成有开口并露出所述对准标记；
在所述开口的表面和所述对准标记的表面还形成有功能材料层。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述零层标记包括若干相互间隔的第一凹槽；
所述对准标记包括若干相互间隔的第二凹槽。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括惯性传感器。
9.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求6至8之一所述的半导体器件。
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