[发明专利]一种氧化铝半导体清洗装置

说明书

技术领域

本发明涉及氧化铝半导体加工设备技术领域，具体为一种氧化铝半导体清洗装置。

背景技术

氧化铝是一种高硬度的化合物，熔点为2054℃，沸点为2980℃，是在高温下可电离的离子晶体，常用于制造耐火材料，同时氧化铝也适用于半导体工业领域，在半导体生产工艺中，晶圆清洗工艺对电子工业，尤其是半导体工业极其重要。

现有的半导体清洗装置在对半导体晶圆进行清洗时，清洗掉的污浊物质会重新附着到晶片表面，从而产生二次污染的问题，导致清洗效果差，大大降低了工作效率，不能满足人们的使用需求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种氧化铝半导体清洗装置，以解决上述背景技术中提出的现有的半导体清洗装置容易产生二次污染，导致清洗效果差，大大降低了工作效率问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种氧化铝半导体清洗装置，包括壳体、烘干室、排水管、电动机、清洗板和清洗液喷头，所述壳体右侧上方固定安装有操控装置，且壳体左侧上方设置有除尘室，所述除尘室内部固定安装有除尘风机，且除尘风机下方设置有集尘筒，所述烘干室固定安装于壳体上，且烘干室内部设置有红外线烘干器，所述排水管与壳体相连通，所述电动机通过传动皮带与输送带相连接，且输送带上均匀的分布固定杆，所述清洗板两端通过固定杆固定于传动皮带上，且清洗板上均匀的分布有清洗槽，所述清洗槽内部设置有固定块，且固定块之间设置有半导体晶圆，所述清洗液喷头和净水喷头上均安装有调节阀，且清洗液喷头和净水喷头下方设置有输送带。

优选的，所述输送带个数为两个，且关于清洗板中轴线对称。

优选的，所述清洗槽横切面为圆形，且清洗槽的底部为开口结构。

优选的，所述固定块关于清洗槽中轴线对称。

优选的，所述半导体晶圆为氧化铝材质。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：该氧化铝半导体清洗装置设置有清洗板，清洗板上均匀的分布有清洗槽，通过固定块将半导体晶圆固定于清洗槽中，这样半导体晶圆就呈垂直状态，在使用清洗液喷头清洗半导体晶圆的过程中，清洗掉的污浊物会垂直落下，同时清洗槽底部为开口结构，这样清洗掉的污浊物就从开口处落入到壳体底部，从而避免了清洗掉的污浊物重新附着到晶片表面造成二次污染，有效的提高了清洗效果，工作效率高，同时清洗槽横切面为圆形，从而使清洗液和净水均匀的喷洒到半导体晶圆的两面，清洗更彻底，使用效果好。

附图说明

图1为本发明结构示意图；

图2为本发明局部结构侧视示意图；

图3为本发明清洗板结构放大侧视示意图；

图4为本发明清洗板结构放大俯视示意图。

图中：1、壳体，2、操控装置，3、除尘室，4、除尘风机，5、集尘筒，6、烘干室，7、红外线烘干器，8、排水管，9、输送带，901、固定杆，10、传动皮带，11、电动机，12、清洗板，1201、清洗槽，1202、固定块，1203、半导体晶圆，13、清洗液喷头，14、调节阀，15、净水喷头。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。